1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Измерительная техника»
  5. Выпуск 2012 г. № 10
Анализ методаизмеренияS-параметровтранзисторов СВЧ Рясный Ю. В.Чашков М. С.Борисов А. В.2012 год

Анализ метода измерения S-параметров транзисторов СВЧ
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Р 99)
Библиографическое описание: Рясный, Ю. В. Анализ метода измерения S-параметров транзисторов СВЧ / Ю. В. Рясный, М. С. Чашков, А. В. Борисов. - (Радиотехнические измерения). - Текст : непосредственный // Измерительная техника. - 2012. - № 10. - С. 61-63. - ISSN 0368-1025.
Аннотация: Рассмотрен метод измерения S-параметров транзисторов СВЧ двойным 12-полюсным рефлектометром, состоящий из трех этапов. На каждом этапе формируются системы измерительных и калибровочных уравнений.
Год издания: 2012
Авторы: Рясный Ю. В. , Чашков М. С. , Борисов А. В.
Источник: Измерительная техника
Выпуск: № 10
Номера страниц: 61-63
Количество экземпляров:
  • Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, Б1-14): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие документы

Обзор методовизмеренияS-параметровтранзисторов СВЧ и ихсравнительный анализ Савелькаев С. В.2018 год

Обзор методов измерения S-параметров транзисторов СВЧ и их сравнительный анализ

  • Савелькаев С. В.
  • 2018 год
Новый метод измеренийкомплексныхпараметровсверхвысокочастотныхсмесителей Коротков К. С.Фролов Д. Р.2014 год

Новый метод измерений комплексных параметров сверхвысокочастотных смесителей

  • Коротков К. С. и др.
  • 2014 год
Методика анализаширокополосныхсвойств мощныхСВЧ-транзисторов Куршев П. Л.Бормонтов Е. Н.2017 год

Методика анализа широкополосных свойств мощных СВЧ-транзисторов

  • Куршев П. Л. и др.
  • 2017 год
Определениекомплексныхкоэффициентовзамедления иотражения при анализеволновых процессов вСВЧ-приборах с… Елизаров А. А.2013 год

Определение комплексных коэффициентов замедления и отражения при анализе волновых процессов в СВЧ…

  • Елизаров А. А.
  • 2013 год
Особенности процессовэпитаксиального ростананогетероструктурInAlN/InGaN дляСВЧ-транзисторовкоммуникационныхсистем Арендаренко А. А.Данилин В. Н.Макаров А. А.2016 год

Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов…

  • Арендаренко А. А. и др.
  • 2016 год
Особенностиразработки процессавыращивания структурInAlN/GaN методомгазофазной эпитаксииизметаллорганических… Буробин В. А.Каргин Н. И.Коновалов А. М.2014 год

Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из…

  • Буробин В. А. и др.
  • 2014 год
Анализ и синтезметодов измеренияS-параметровсверхвысокочастотныхтранзисторов Савелькаев С. В.Литовченко В. А.2018 год

Анализ и синтез методов измерения S-параметров сверхвысокочастотных транзисторов

  • Савелькаев С. В. и др.
  • 2018 год
ИзмерениеS-параметровСВЧ-транзистора привысоких уровняхмощности методомпространственноудаленной нагрузки Никулин Сергей МихайловичТоргованов Алексей Игоревич2015 год

Измерение S-параметров СВЧ-транзистора при высоких уровнях мощности методом пространственно…

  • Никулин Сергей Михайлович и др.
  • 2015 год
Метод измеренияS-параметровтранзисторов наимитаторе-анализатореусилителей иавтогенераторовсверхвысоких частот Савелькаев С. В.Ромасько С. В.2017 год

Метод измерения S-параметров транзисторов на имитаторе-анализаторе усилителей и автогенераторов…

  • Савелькаев С. В. и др.
  • 2017 год
Методы повышенияточности измеренийпараметров емкостныхдатчиков Мелентьев В. С.2014 год

Методы повышения точности измерений параметров емкостных датчиков

  • Мелентьев В. С.
  • 2014 год
Анализэксплуатационныхвыходов из строяширокополосныхСВЧ-усилителей наоснове ЛБВ привзаимодействии с… Доперальский В. В.Данилов А. Б.2019 год

Анализ эксплуатационных выходов из строя широкополосных СВЧ-усилителей на основе ЛБВ при…

  • Доперальский В. В. и др.
  • 2019 год
Теоретические основыпостроенияимитатора-анализатораактивных СВЧ-цепей Савелькаев С. В.Ромасько С. В.Литовченко В. А.2017 год

Теоретические основы построения имитатора-анализатора активных СВЧ-цепей

  • Савелькаев С. В. и др.
  • 2017 год