Искажение профиля рельефных элементов на поверхности монокристаллического кремния в результате их контаминации в низковольтном растровом электронном микроскопе
Библиографическое описание:Искажение профиля рельефных элементов на поверхности монокристаллического кремния в результате их контаминации в низковольтном растровом электронном микроскопе / В. П. Гавриленко [и др.]. - (Нанометрология). - Текст : непосредственный // Измерительная техника. - 2013. - № 3. - С. 12-15. - ISSN 0368-1025.
Аннотация:Представлены результаты исследований влияния контаминации в растровом электронном микроскопе S-4800 при энергии электронов 1 кэВ на профиль рельефных элементов меры МШПС-2. 0К. Показано, что после электронного облучения наблюдаемая ширина верхнего основания рельефных элементов увеличивается в зависимости от дозы облучения при его разных режимах.
