1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Успехи современной радиоэлектроники»
  5. Выпуск 2013 г. № 11
Изучениеповерхностныхэлектронных состоянийв полупроводникахпосредством холоднойэмиссии в сканирующихтуннельныхмикроскопах Мандель А. М.Лоскутов А. И.Ошурко В. Б.2013 год

Изучение поверхностных электронных состояний в полупроводниках посредством холодной эмиссии в сканирующих туннельных микроскопах
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (И 39)
Библиографическое описание: Изучение поверхностных электронных состояний в полупроводниках посредством холодной эмиссии в сканирующих туннельных микроскопах = Study of the surface electron states in semiconductors based on the processes of cold emission in scanning tunneling microscopy / А. М. Мандель [и др.]. - Текст : непосредственный // Успехи современной радиоэлектроники. - 2013. - № 11. - С. 23-28 : 2 рис. - Библиогр.: с. 27 (25 назв. ). - ISSN 0021-3470.
Аннотация: Рассчитана вероятность автоэлектронной эмиссии и вид вольт-амперной характеристики туннельного тока с поверхности полупроводника при малых напряжениях в режиме сканирующего туннельного микроскопа. Показано, что предэкспоненциальный фактор вероятности туннелирования зависит от числа степеней свободы поверхностных электронных состояний, через которые проходит туннельный ток. Он и определяет в основном поведение вольт-амперной характеристики при напряжениях, малых по сравнению с потенциалом выхода, причем независимо от механизма электронной эмиссии. Предложен способ контроля качества поверхности полупроводников на основе анализа такого рода данных.
Год издания: 2013
Авторы: Мандель А. М. , Лоскутов А. И. , Ошурко В. Б. , Соломахо Г. И. , Федотова Ю. А.
Источник: Успехи современной радиоэлектроники
Выпуск: № 11
Номера страниц: 23-28
Количество экземпляров:
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Метод измерениймощностисубтерагерцевого итерагерцевогоизлучений сиспользованиемрезонансно-туннельныхдиодов Измайлов Г. Н.Митягин Ю. А.Мурзин В. Н.2013 год

Метод измерений мощности субтерагерцевого и терагерцевого излучений с использованием резонансно…

  • Измайлов Г. Н. и др.
  • 2013 год
Программный комплексрасчета начальногоучастка ВАХрезонансно-туннельного диода свозможностьюпроведения машинного… Черкасов К. В.Мешков С. А.Иванов Ю. А.2019 год

Программный комплекс расчета начального участка ВАХ резонансно-туннельного диода с возможностью…

  • Черкасов К. В. и др.
  • 2019 год
Применениереконструированнойповерхности кремниядля калибровкисканирующихтуннельныхмикроскопов Кузин А. Ю.Тодуа П. А.Панов В. И.2012 год

Применение реконструированной поверхности кремния для калибровки сканирующих туннельных микроскопов

  • Кузин А. Ю. и др.
  • 2012 год
Диэлектрические ипьезоэлектрическиесвойства композитасополимераполи(винилиденфторид-трифторэтилена) суглеродными… Киселев Д. А.Силибин М. В.Солнышкин А. В.2017 год

Диэлектрические и пьезоэлектрические свойства композита сополимера поли(винилиденфторид…

  • Киселев Д. А. и др.
  • 2017 год
Разработка методикиконтролякоррозионногорастрескивания привысоком давлениипосредствомакустической эмиссии Давыдкин М. В.Скрябиков И. Н.Фиклистов А. Г.2014 год

Разработка методики контроля коррозионного растрескивания при высоком давлении посредством…

  • Давыдкин М. В. и др.
  • 2014 год
Определениеэффективного радиусаострия зондаатомно-силовогомикроскопа сиспользованиеммонодисперсныхнаночастиц… Ефимов А. А.Иванов В. В.Волков И. А.2013 год

Определение эффективного радиуса острия зонда атомно-силового микроскопа с использованием…

  • Ефимов А. А. и др.
  • 2013 год
Воздействие нафакторы образованияхолодных трещинсварного соединениястали 10Г2ФБЮпосредствомрегулирования… Алрухайми А. Г.Иванов М. А.Тиньгаев А. К.2020 год

Воздействие на факторы образования холодных трещин сварного соединения стали 10Г2ФБЮ посредством…

  • Алрухайми А. Г. и др.
  • 2020 год
Исследованиефизико-химическихсвойств квантовыхточек InP/ZnS дляофтальмологии Пономарев Вячеслав ОлеговичБарыбин Александр СергеевичПономарев Олег Павлович2014 год

Исследование физико-химических свойств квантовых точек InP/ZnS для офтальмологии

  • Пономарев Вячеслав Олегович и др.
  • 2014 год

Показать ещё