Библиографическое описание:Изучение поверхностных электронных состояний в полупроводниках посредством холодной эмиссии в сканирующих туннельных микроскопах = Study of the surface electron states in semiconductors based on the processes of cold emission in scanning tunneling microscopy / А. М. Мандель [и др.]. - Текст : непосредственный // Успехи современной радиоэлектроники. - 2013. - № 11. - С. 23-28 : 2 рис. - Библиогр.: с. 27 (25 назв. ). - ISSN 0021-3470.
Аннотация:Рассчитана вероятность автоэлектронной эмиссии и вид вольт-амперной характеристики туннельного тока с поверхности полупроводника при малых напряжениях в режиме сканирующего туннельного микроскопа. Показано, что предэкспоненциальный фактор вероятности туннелирования зависит от числа степеней свободы поверхностных электронных состояний, через которые проходит туннельный ток. Он и определяет в основном поведение вольт-амперной характеристики при напряжениях, малых по сравнению с потенциалом выхода, причем независимо от механизма электронной эмиссии. Предложен способ контроля качества поверхности полупроводников на основе анализа такого рода данных.
