Библиографическое описание:Анизотропный рост алмазографитового композитного материала в сверхвысокочастотной плазме низкого давления / С. Ю. Суздальцев [и др.]. - (Химия). - Текст : непосредственный // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2013. - Т. 56, вып. 7. - С. 60-63 : 4 рис. - Библиогр.: с. 63 (10 назв.). - ISSN 0579-2991.
Аннотация:Показана возможность селективного осаждения углеродного материала на участки подложки с различающейся электропроводностью, в условиях приложения потенциала к участку с большей электропроводностью. Определено, что исследованные алмазографитовые пленки обладают отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, при этом энергия активации проводимости изменяется в диапазоне 0, 26-1, 45 эВ, зависящем от толщины пленки. Это связывается с достижением порога перколяции.
