Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем : учеб. пособие для студентов вузов, обуч. по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника". Ч. 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования
Библиографическое описание:Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем : учеб. пособие для студентов вузов, обуч. по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника": в 2-х т. / ред. Ю. А. Чаплыгин. - Москва : БИНОМ, Лаборатория знаний, 2010. - (Электроника). - ISBN 978-5-94774-583-2. - Текст : непосредственный. Ч. 2 : Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования / М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков. - 2010. - 422 с. : ил. - На обложке указаны авт. второй части. - Библиогр.: с. 416-422 (68 назв.). - 1000 экз. - ISBN 978-5-94774-585-6 (Ч. 2) (в пер.) : 341.55 р.
Аннотация:Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.
