1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск

Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure
препринт статьи

Полный текстСтраница в репозитории СФУ
База данных: Архив электронных ресурсов СФУ
Год издания: 2019
Авторы: Tarasov, A. S., Lukyanenko, A. V., Rautskii, M. V., Bondarev, I. A., Smolyakov, D. A., Tarasov, I. A., Yakovlev, I. A., Varnakov, S. N., Ovchinnikov, S. G., Baron, F. A., Volkov, N. V.
Источник: Semiconductor Science and Technology
Ключевые слова: Институт инженерной физики и радиоэлектроники, ИИФиРЭ, сфу