Библиографическое описание:ЭВОЛЮЦИЯ ДИСЛОКАЦИОННЫХ ПЕТЕЛЬ И ПОР В ТЕЛЛУРИДЕ КАДМИЯ ПРИ ЭЛЕКТРОННОМ ОБЛУЧЕНИИ : доклад, тезисы доклада / А. В. Мозжерин, Н. Н. Паклин, Ю. Ю. Логинов. - [Б. м. : б. и.], 2025. - Текст : непосредственный // Решетневские чтения : Материалы XXIХ Международной научно-практической конференции, посвященной памяти генерального конструктора ракетно-космических систем академика Михаила Федоровича Решетнева. В 2-х частях / Решетневские чтения (2025 ; 10.11 - 14.11 ; Красноярск). - Красноярск, 2025. - С. 1001-1002. - ISBN 9785864339732.
Аннотация:Предложен метод моделирования роста дислокационных петель и пор, формирующихся при β-облучении. Учитывается геометрия кластеров, количество точек присоединения точечных дефектов к кластеру и факторы, ограничивающие размер кластера.
A method for modeling the growth of dislocation loops and pores formed during β-irradiation is proposed. This method takes into account cluster geometry, the number of attachment points for point defects within a cluster, and factors limiting cluster size.
Держатель оригинала документа:Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева, Сибирский федеральный университет
