1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Photoluminescence ofStructures on PorousSilicon Obtained byElectrochemicalEtching with Exposureto Light in DifferentSpectral… : научноеиздание Semenova O.V.Korets A. Ya.Patrusheva T.N.2025 год

Photoluminescence of Structures on Porous Silicon Obtained by Electrochemical Etching with Exposure to Light in Different Spectral Regions : научное издание
статья из журнала

Дополнительные ссылки: eLibrary
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Photoluminescence of Structures on Porous Silicon Obtained by Electrochemical Etching with Exposure to Light in Different Spectral Regions : научное издание / O. V. Semenova [et al.]. - Текст : непосредственный // Theoretical Foundations of Chemical Engineering. - 2025. - Т. 59, № 1. - P. 20-23. - This work was supported by ongoing institutional funding. No additional grants to carry out or direct this particular research were obtained. - ISSN 0040-5795. - ISSN 1608-3431, DOI 10.1134/S0040579525700046.
Аннотация: This work focuses on the effect of different additional irradiation sources on the optical properties of porous silicon. Samples were obtained using the standard electrochemical anodization (etching) technique in a hydrofluoric acid solution from monocrystalline silicon wafers. Differences were observed in the photoluminescence spectra of three series of samples subjected to different spectral irradiation. The results show that by using various types of additional light sources during the electrochemical etching process, the photoluminescence spectrum peak of porous silicon can be tuned within the wavelength range of 400–850 nm.
Год издания: 2025
Авторы: Semenova O.V. , Korets A. Ya. , Patrusheva T.N. , Railko M. Yu.
Издательство: Pleiades Publishing, Ltd. (Плеадес Паблишинг, Лтд), Москва
Источник: Theoretical Foundations of Chemical Engineering
Выпуск: Т. 59, № 1
Номера страниц: 20-23
Держатель оригинала документа: Baltic State Technical University “VOENMEKH” named after D.F. Ustinov, Siberian Federal University
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Похожие публикации

Control ofPhotoluminescence ofHybrid Structures onPorous Silicon withZinc Oxide Obtainedby the Extraction… Semenova O.V.Korets A. Ya.Podorozhnyak S.A.2025 год

Control of Photoluminescence of Hybrid Structures on Porous Silicon with Zinc Oxide Obtained by the… : научное издание

  • Semenova O.V. и др.
  • 2025 год
Photoluminescence ofPorous SiliconStructures with ZincOxide Introduced by aSolution-BasedTechnique Semenova O.V.Korets A. Ya.Patrusheva T.N.2025 год

Photoluminescence of Porous Silicon Structures with Zinc Oxide Introduced by a Solution-Based… : научное издание

  • Semenova O.V. и др.
  • 2025 год
Фотолюминесценцияструктур на пористомкремнии, полученномэлектрохимическимтравлением соблучением в разных… Семенова О. В.Корец А. Я.Патрушева Т. Н.2024 год

Фотолюминесценция структур на пористом кремнии, полученном электрохимическим травлением с… : научное издание

  • Семенова О. В. и др.
  • 2024 год
Влияние режимовтравления напористость слоев ифотолюминесценциюмногослойногопористого кремния Леньшин А. С.Пешков Я. А.Черноусова О. В.2024 год

Влияние режимов травления на пористость слоев и фотолюминесценцию многослойного пористого кремния : статья из журнала

  • Леньшин А. С. и др.
  • 2024 год
Фотолюминесценцияструктур на пористомкремнии с оксидомцинка, полученного спомощью растворнойтехнологии Семенова О. В.Корец А. Я.Патрушева Т. Н.2025 год

Фотолюминесценция структур на пористом кремнии с оксидом цинка, полученного с помощью растворной… : научное издание

  • Семенова О. В. и др.
  • 2025 год
Управлениефотолюминесценциейгибридных структур напористом кремнии соксидом цинка,полученнымэкстракционно… Семенова О. В.Корец А. Я.Подорожняк С. А.2025 год

Управление фотолюминесценцией гибридных структур на пористом кремнии с оксидом цинка, полученным… : научное издание

  • Семенова О. В. и др.
  • 2025 год
Effect of TreatmentConditions ofCapacitor StructuresBased on PorousSilicon andFerroelectric onTheir Dielectric… Semenova O. V.Patrusheva T. N.Yuzova V. A.2023 год

Effect of Treatment Conditions of Capacitor Structures Based on Porous Silicon and Ferroelectric on… : научное издание

  • Semenova O. V. и др.
  • 2023 год
Porous SiliconCapacitor Structureswith Embedded BariumStrontium Titanates Semenova O.V.Patrusheva T.N.Podorozhnyak S.A.2020 год

Porous Silicon Capacitor Structures with Embedded Barium Strontium Titanates : статья из журнала

  • Semenova O.V. и др.
  • 2020 год

Показать ещё

НОВЫЙ МЕТОДФОРМИРОВАНИЯРЕГУЛЯРНЫХ СКВОЗНЫХСТРУКТУР НА КРЕМНИИ Слизкова Алена СергеевнаАвтахутдинов Дамир Ринадович2018 год

НОВЫЙ МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ РЕГУЛЯРНЫХ СКВОЗНЫХ СТРУКТУР НА КРЕМНИИ : научное издание

  • Слизкова Алена Сергеевна и др.
  • 2018 год
Forming PorousStructures on Siliconwith a Ferroelectricfor CapacitiveMicroelectronic andMicrosystemsEngineering… Semenova O.V.Railko M.Yu.Patrusheva T.N.2018 год

Forming Porous Structures on Silicon with a Ferroelectric for Capacitive Microelectronic and… : статья из журнала

  • Semenova O.V. и др.
  • 2018 год
Исследованиереакционнойспособности структурыpor-Si/Pd поотношению к парамэтанола Силаков Г. О.Лазоркин Е. Н.Гаврилов С. А.2023 год

Исследование реакционной способности структуры por-Si/Pd по отношению к парам этанола : статья из журнала

  • Силаков Г. О. и др.
  • 2023 год
Технологическиеаспекты изготовлениячувствительныхэлементовмикромеханическихдатчиков удара Кочурина Е. С.Боев Л. Р.Зарянкин Н. М.2024 год

Технологические аспекты изготовления чувствительных элементов микромеханических датчиков удара : статья из журнала

  • Кочурина Е. С. и др.
  • 2024 год
Влияние режимовобработкиконденсаторныхструктур на основепористого кремния исегнетоэлектрика наих… Семенова О.В.Патрушева Т.Н.Юзова В.А.2022 год

Влияние режимов обработки конденсаторных структур на основе пористого кремния и сегнетоэлектрика на… : научное издание

  • Семенова О.В. и др.
  • 2022 год
Plasma chemicalsilicon etchingprocess Rudenko K.V.Miakonkih A.V.Rogojin A.E.2016 год

Plasma chemical silicon etching process : доклад, тезисы доклада

  • Rudenko K.V. и др.
  • 2016 год
Рост и характеризацияnBn-структур наоснове СdхHg[1-х]Teдля фотоприёмниковспектральногодиапазона 3-5 мкм Михайлов Н. Н.Варавин В. С.Дворецкий С. А.2024 год

Рост и характеризация nBn-структур на основе СdхHg[1-х]Te для фотоприёмников спектрального… : статья из журнала

  • Михайлов Н. Н. и др.
  • 2024 год
Облучениемонокристаллическогокремния мощнымимпульсным пучкомионов углерода ипротонов Симаков С. В.Виноградова Н. А.Никитушкина О. Н.2023 год

Облучение монокристаллического кремния мощным импульсным пучком ионов углерода и протонов : статья из журнала

  • Симаков С. В. и др.
  • 2023 год