Библиографическое описание:ВЛИЯНИЕ БУФЕРНОГО СЛОЯ НА СТРУКТУРУ, МОРФОЛОГИЮ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК Mn5Ge3, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ Si(111) : научное издание / М. В. Рауцкий [и др.]. - Текст : непосредственный // Физика металлов и металловедение. - 2024. - Т. 125, № 12. - С. 1501-1511. - Исследование выполнено за счет средств гранта Российского научного фонда №23-2210033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Красноярского краевого фонда науки. Авторы выражают благодарность за предоставленное оборудование Красноярскому региональному центру коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН и лаборатории магнитных MAX материалов, созданной в ходе реализации Мегагранта (соглашение № 075-15-2019-1886). - ISSN 0015-3230, DOI 10.31857/S0015323024120055.
Аннотация:Исследовано влияние буферного слоя Mn<sub>x</sub>Ge<sub>y</sub> на морфологию, транспортные и магнитные свойства тонких пленок Mn<sub>5</sub>Ge<sub>3</sub>, выращенных на подложках Si(111). С помощью рентгеноструктурного анализа и атомно-силовой микроскопии обнаружено, что изменение толщины и строения буферного слоя с градиентным составом Mn<sub>x</sub>Ge<sub>y</sub> позволяет управлять кристаллическим качеством и гладкостью эпитаксиальных пленок. Изменение микроструктуры и рельефа не влияет на температуру фазовых переходов, выявленных из температурных зависимостей удельного сопротивления и намагниченности при 75 K и 300 K. Показано, что особенности формы кривой намагничивания для пленок с различными буферными слоями тесно связаны с неоднородностью пленок по толщине и рельефу при сохранении микромагнитных констант и ориентации оси легкого намагничивания. Была рассчитана величина изменения магнитной части энтропии Δ<i>S</i>, которая составила 2.1 Дж кг<sup>-1</sup> К<sup>-1</sup> при 1 T, что сравнимо с эффектом в гадолинии и превышает эффект в пленках Mn<sub>5</sub>Ge<sub>3</sub>(001), выращенных на подложках GaAs.
He effect of the Mn<sub>x</sub>Ge<sub>y</sub> buffer layer on the morphology, transport and magnetic properties of Mn<sub>5</sub>Ge<sub>3 </sub>thin films grown on substrates Si(111) has been studied. Using X-ray diffraction analysis and atomic force microscopy, it has been found that changing the thickness and structure of the buffer layer with a gradient Mn<sub>x</sub>Ge<sub>y</sub> composition has made it possible to control the crystalline quality and smoothness of epitaxial films. Changes in the microstructure and surface roughness has not affected the temperature of the phase transitions revealed from the temperature dependences of the resistivity and magnetization at 75 and 300 K. It has been shown that the features of the magnetization curve shape for films with different buffer layers have been closely related to the inhomogeneity of the films in thickness and surface roughness while maintaining the micromagnetic constants and orientation of the easy magnetization axis. The value of the change in the magnetic part of entropy Δ<i>S</i> has been calculated to be 2.1 J kg<sup>-1</sup> K<sup>-1</sup> at 1 T, which is comparable with the value for gadolinium and exceeds that for Mn<sub>5</sub>Ge<sub>3</sub>(001) films grown on GaAs substrates.
Издательство:Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург
Источник:Физика металлов и металловедение
Выпуск:Т. 125, № 12
Номера страниц:1501-1511
Держатель оригинала документа:Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦКНЦ СО РАН, Институт химии и химической технологии ФИЦКНЦ СО РАН, Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Сибирский федеральный университет
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки
