1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
НОВЫЙ КВАНТОВЫЙТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ2D-МЕРНОЙ СИСТЕМЫSi/Ge/Si Образцов К.В.Чибисов А.Н.Фёдоров А.С.2024 год

НОВЫЙ КВАНТОВЫЙ ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ 2D-МЕРНОЙ СИСТЕМЫ Si/Ge/Si
доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Дополнительные ссылки: eLibrary · Источник статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: НОВЫЙ КВАНТОВЫЙ ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ 2D-МЕРНОЙ СИСТЕМЫ Si/Ge/Si : доклад, тезисы доклада / К. В. Образцов, А. Н. Чибисов, А. С. Фёдоров. - [Б. м. : б. и.], 2024. - Текст : непосредственный // Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование : Материалы XXII Всероссийской научной конференции / Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование (2024 ; 30.09 - 04.10 ; Хабаровск). - Хабаровск, 2024. - С. 86-88. - Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект № 0818-2020-0005). - ISBN 9785738939747.
Аннотация: В данной работе рассматривается влияние дырки на электронные свойства структуры типа сэндвич Si/Ge/Si. В рамках работы рассчитаны изменение электронной плотности структуры в зависимости от заданной намагниченности для случая с дыркой и без, ширина запрещенной зоны и влияние заданной намагниченности на электростатический потенциал системы. Было установлено наиболее выгодное состояние системы с дыркой. Полученные свойства будут полезны для проектирования квантовых вычислительных устройств на основе системы Si/Ge/Si.
Год издания: 2024
Авторы: Образцов К.В. , Чибисов А.Н. , Фёдоров А.С.
Издательство: Хабаровск
Номера страниц: 86-88
Держатель оригинала документа: Вычислительный центр ДВО РАН, Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Тихоокеанский государственный университет
Мероприятие: Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование (Хабаровск, 2024 ; 30.09 - 04.10)
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Похожие публикации

ЛОКАЛИЗАЦИЯ ДЫРОЧНЫХСОСТОЯНИЙ ИРАСПРЕДЕЛЕНИЕПОТЕНЦИАЛА В СЭНДВИЧСТРУКТУРЕ Si/Ge/Si Образцов К.В.Чибисов А.Н.Федоров А.С.2023 год

ЛОКАЛИЗАЦИЯ ДЫРОЧНЫХ СОСТОЯНИЙ И РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В СЭНДВИЧ СТРУКТУРЕ Si/Ge/Si : доклад, тезисы доклада,…

  • Образцов К.В. и др.
  • 2023 год
Фотолюминесценциянаноразмерныхструктур Ge/Si сквантовыми точками Ge Живулько В. Д.Мудрый А. В.Бородавченко О. М.2025 год

Фотолюминесценция наноразмерных структур Ge/Si с квантовыми точками Ge : статья из журнала

  • Живулько В. Д. и др.
  • 2025 год
ВЛИЯНИЕ ОРБИТАЛЬНОГОМАГНИТНОГО МОМЕНТА НАРАСПРЕДЕЛЕНИЕНАМАГНИЧЕННОСТИ ВМОНОСЛОЕ Co:ZnO Прохоренко А.В.Чибисов А.Н.Фёдоров А.С.2024 год

ВЛИЯНИЕ ОРБИТАЛЬНОГО МАГНИТНОГО МОМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ НАМАГНИЧЕННОСТИ В МОНОСЛОЕ Co:ZnO : доклад, тезисы доклада,…

  • Прохоренко А.В. и др.
  • 2024 год
Расчет характеристиклавинных фотодиодовGe/Si на длину волны850 нм Диб Х.Лозовой К. А.Коханенко А. П.2024 год

Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si на длину волны 850 нм : статья из журнала

  • Диб Х. и др.
  • 2024 год
Квантово-механическоемоделирование системыFe-Si(001) на стадиироста твердогосмачивающего слоя Заводинский В. Г.Плюснин Н. И.Горкуша О. А.2024 год

Квантово-механическое моделирование системы Fe-Si(001) на стадии роста твердого смачивающего слоя : статья из журнала

  • Заводинский В. Г. и др.
  • 2024 год
Влияние буферногослоя на структуру,морфологию имагнитные свойствапленок Mn[5]Ge[3],синтензированных наподложках… Рауцкий М. В.Лукьяненко А. В.Комогорцев С. В.2024 год

Влияние буферного слоя на структуру, морфологию и магнитные свойства пленок Mn[5]Ge[3],… : статья из журнала

  • Рауцкий М. В. и др.
  • 2024 год
Спектр излучения истабильность двухтиповэлектронно-дырочнойжидкости в мелкихSi/Si[1-x]Ge[x]Siквантовых ямах Васильченко А. А.Кривобок В. С.Николаев С. Н.2020 год

Спектр излучения и стабильность двух типов электронно-дырочной жидкости в мелких Si/Si[1-x]Ge[x… : статья из журнала

  • Васильченко А. А. и др.
  • 2020 год
Квантовые точки"ядро-оболочка" Ge/Siв матрице оксидаалюминия: влияниетемпературы отжига наоптические свойства Сресели О. М.Берт Н. А.Неведомский В. Н.2020 год

Квантовые точки "ядро-оболочка" Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на… : статья из журнала

  • Сресели О. М. и др.
  • 2020 год

Показать ещё

DFT-ПРЕДСКАЗАНИЕНОВЫХ 2D-СТРУКТУРКРЕМНИЯ Прохоренко А.В.Чибисов А.Н.Гниденко А.А.2024 год

DFT-ПРЕДСКАЗАНИЕ НОВЫХ 2D-СТРУКТУР КРЕМНИЯ : доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

  • Прохоренко А.В. и др.
  • 2024 год
Влияние морфологии нафононнуютеплопроводностьнанопроволок Si, Ge иSi/Ge типаядро/оболочка Холяво И. И.Хомец А. Л.Сафронов И. В.2022 год

Влияние морфологии на фононную теплопроводность нанопроволок Si, Ge и Si/Ge типа ядро/оболочка : статья из журнала

  • Холяво И. И. и др.
  • 2022 год
Компьютерноемоделированиелокальнойнавигационной системына основе сигналовГЛОНАСС Граничников В.А.Смирнов Д. И.2025 год

Компьютерное моделирование локальной навигационной системы на основе сигналов ГЛОНАСС : доклад, тезисы доклада

  • Граничников В.А. и др.
  • 2025 год
Формированиедиэлектрическихрезонаторов на основесветоизлучающихGe/Si-гетероструктур Юрасов Д. В.Шалеев М. В.Шенгуров Д. В.2025 год

Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур : статья из журнала

  • Юрасов Д. В. и др.
  • 2025 год
Систематерморегуляции длябиосенсоров на основеполевых транзисторовсканалом-нанопроводом Нибудин Г. В.Циняйкин И. И.Преснова Г. В.2024 год

Система терморегуляции для биосенсоров на основе полевых транзисторов с каналом-нанопроводом : статья из журнала

  • Нибудин Г. В. и др.
  • 2024 год
Влияние термическойобработки на свойствабыстрозакаленныхсплавов системы Al –Ge – Si Иванников А. А.Абрамов А. В.Севрюков О. Н.2022 год

Влияние термической обработки на свойства быстрозакаленных сплавов системы Al – Ge – Si : статья из журнала

  • Иванников А. А. и др.
  • 2022 год
Планарные системы наоснове массивовнаночастиц золота наподложке Au/Si (100) Царенко Андрей Васильевич2025 год

Планарные системы на основе массивов наночастиц золота на подложке Au/Si (100) : доклад, тезисы доклада, статья из…

  • Царенко Андрей Васильевич
  • 2025 год
Воздействиенизкочастотногошумового сигнала наСВЧ-генератордетерминированныхколебаний на Si-Geтранзисторе Мясин Евгений АнатольевичМаксимов Николай АндреевичКотов Виктор Дмитриевич2018 год

Воздействие низкочастотного шумового сигнала на СВЧ-генератор детерминированных колебаний на Si… : статья из журнала

  • Мясин Евгений Анатольевич и др.
  • 2018 год