Библиографическое описание:ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА ГЕРМАНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ Fe3Si/Si(111) : доклад, тезисы доклада / А. А. Кошелев, И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков. - [Б. м. : б. и.], 2023. - Текст : непосредственный // Решетневские чтения : Материалы XXVII Международной научно-практической конференции, посвященной памяти генерального конструктора ракетно-космических систем академика М.Ф. Решетнева. В 2-х частях / Решетневские чтения (2023 ; 08.11 - 10.11 ; Красноярск). - Красноярск, 2023. - С. 591-593. - Работа выполнена в рамках научной тематики Госзадания ИФ СО РАН. - ISBN 9785864333396.
Аннотация:Исследованы процессы эпитаксиального роста слоя Ge на Fe3Si/Si(111), полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии с последующим отжигом. Установлено, что после отжига при 380 °С аморфная пленка Ge трансформируется в монокристаллические островки.
The epitaxial growth processes of a Ge layer on Fe3Si/Si(111) synthesized by molecular beam epitaxy with subsequent annealing have been studied. It has been established that after annealing at 380 °C the amorphous Ge film is transformed into single-crystalline islands.
Держатель оригинала документа:Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук - обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН, Сибирский федеральный университет
