ЛОКАЛИЗАЦИЯ ДЫРОЧНЫХ СОСТОЯНИЙ И РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В СЭНДВИЧ СТРУКТУРЕ Si/Ge/Si

Образцов К.В.; Чибисов А.Н.; Федоров А.С.

Дополнительные ссылки: eLibrary · Источник статьи

База данных: Каталог библиотеки СФУ

Библиографическое описание: ЛОКАЛИЗАЦИЯ ДЫРОЧНЫХ СОСТОЯНИЙ И РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В СЭНДВИЧ СТРУКТУРЕ Si/Ge/Si : доклад, тезисы доклада / К. В. Образцов, А. Н. Чибисов, А. С. Федоров. - [Б. м. : б. и.], 2023. - Текст : непосредственный // Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование : Материалы XXI региональной научной конференции / Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование (2023 ; 25.09 - 28.09 ; Благовещенск). - Благовещенск, 2023. - С. 72-74. - ISBN 9785934934195, DOI 10.22250/9785934934195_72.

Аннотация: В данной работе авторами рассматривается квантово-механическое моделирование системы Si/Ge/Si. Были составлены и отрелаксированны тестовые структуры силицена, германена и самого интерфейса типа сэндвич. Были рассчитаны полный потенциал, электронная плотность и дырочные состояния оттранслированного интерфейса. Были проанализированы значения электронной плотности и полного потенциала системы в зависимости от направления намагниченности. Полученные результаты могут быть применены в наноэлектронике для создания квантовых транзисторов.
In this work, the authors carried out quantum mechanical simulation of the Si/Ge/Si system. Test structures of silicene, germanene and the most surface type of sandwich were compiled and relaxed. The total potential, electron density and hole states from the broadcast face were calculated. The contribution to the electron density and the total potential of the system, depending on the sign of the magnetization of the entire supercell was also noted. The obtained results can be applied in the field of nanoelectronics to create quantum transistors.

Год издания: 2023

Авторы: Образцов К.В. , Чибисов А.Н. , Федоров А.С.

Издательство: Благовещенск

Номера страниц: 72-74

Держатель оригинала документа: Вычислительный центр ДВО РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН

Мероприятие: Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование (Благовещенск, 2023 ; 25.09 - 28.09)

Количество экземпляров:

Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Показать дополнительные сведения

НОВЫЙ КВАНТОВЫЙ ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ 2D-МЕРНОЙ СИСТЕМЫ Si/Ge/Si : доклад, тезисы доклада, статья из сборника…

Образцов К.В. и др.
2024 год

СИНТЕЗ И МАГНИТОТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ВЕРТИКАЛЬНЫХ ГИБРИДНЫХ СТРУКТУР FE3SI/GE/MN5GE3/SI(111) : доклад, тезисы доклада

Лукьяненко А.В. и др.
2024 год

Спектр излучения и стабильность двух типов электронно-дырочной жидкости в мелких Si/Si[1-x]Ge[x… : статья из журнала

Васильченко А. А. и др.
2020 год

ВЛИЯНИЕ ОРБИТАЛЬНОГО МАГНИТНОГО МОМЕНТА НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ НАМАГНИЧЕННОСТИ В МОНОСЛОЕ Co:ZnO : доклад, тезисы доклада,…

Прохоренко А.В. и др.
2024 год

Фотолюминесценция наноразмерных структур Ge/Si с квантовыми точками Ge : статья из журнала

Живулько В. Д. и др.
2025 год

DFT-ПРЕДСКАЗАНИЕ НОВЫХ 2D-СТРУКТУР КРЕМНИЯ : доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Прохоренко А.В. и др.
2024 год

Локализация атомов азота в структурах Si-SiO[2] : статья из журнала

Оджаев В. Б. и др.
2022 год

Метод трехкомпонентной зонной плавки: моделирование концентрационного распределения компонентов в… : статья из журнала

Агамалиев З. А.
2021 год

Распределение концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Ge и GeSn, выращенных на n{+}… : статья из журнала

Титова А. М. и др.
2022 год

Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge[x]Si[1-x], полученных… : статья из журнала

Зикриллаев Н. Ф. и др.
2022 год

Влияние поверхности и границ раздела на продольный тепловой транспорт в слоистых тонкопленочных… : статья из журнала

Хомец А. Л. и др.
2022 год

Квантовые точки "ядро-оболочка" Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на… : статья из журнала

Сресели О. М. и др.
2020 год

Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием… : статья из журнала

Володин В. А. и др.
2019 год

Электронная структура и магнитные свойства сплавов FeRhSn[1-x]Z[x] (Z = Ge, Si, Sb) : статья из журнала

Павлухина О. О. и др.
2023 год

Определение параметров энергетического спектра локализованных состояний сэндвич-структуры Al-Pb[3… : статья из журнала

Грабко Г. И. и др.
2025 год

ПОИСК МЕТАСТАБИЛЬНЫХ ФАЗ ГЕРМАНИЯ : доклад, тезисы доклада

Образцов К.В. и др.
2025 год

Библиотечно-издательский комплекс СФУ

ЛОКАЛИЗАЦИЯ ДЫРОЧНЫХ СОСТОЯНИЙ И РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В СЭНДВИЧ СТРУКТУРЕ Si/Ge/Si
доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Похожие публикации