Библиографическое описание:Синтез и комплексные исследования свойств эпитаксиальных пленок ферромагнитных германидов и силицидов марганца на подложках кремния : описание проекта. - [Б. м. : б. и.], 2023. - Б. ц. - Текст : непосредственный. Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами
Аннотация:Проект направлен на решение проблемы синтеза эпитаксиальных тонких плёнок (Mn)5±x(Ge)3±x на традиционных полупроводниковых (ПП) подложках. При этом возможно контролируемое изменение электронной структуры и как следствие функциональных свойств. Будет исследовано влияние эпитаксиального упорядочения и изменения химического состава ферромагнитных германидов марганца c структурой D88 (P63/mcm), химическая формула (Mn)5±x(Ge)3±x, на их физические свойства. Высокая Tc, намагниченность и энтальпия фазового перехода, может достигаться путём замещения Mn на Fe и Ge на Si, Sb, Al. При решении поставленной общей задачи следует принимать во внимание ряд факторов и нюансов, совокупность которых обуславливает масштабность и комплексность обозначенной задачи. • Для разработки воспроизводимой технологии синтеза необходимо изучать процессы роста и формирования кристаллических плёнок и установить взаимосвязь между технологическими параметрами синтеза и итоговыми физическими и физико-химическими свойствами. • Для применения в спинтронике необходима высокая спиновая поляризация, что может быть настроено путём замещений и эпитаксиальных напряжений. Кроме того, помимо ФМ состояния, важными являются и проводимость материала, и его контактное сопротивление с кремнием различной степени допирования, поскольку эти параметры напрямую влияют на эффективность спиновой инжекции в полупроводник. Актуальность объекта исследования обусловлена его функциональными свойствами: высокой Tс, намагниченностью и энтальпией фазового перехода, необходимыми для применения в энергоэффективных устройствах электроники. Преодоление трудностей в синтезе монокристаллических плёнок (Mn)5±x(Ge)3±x на подложках кремния, позволит получить материалы, требующиеся для реализации совместимой с кремниевой КМОП технологией полупроводниковой спинтроники. В рамках проекта будут синтезированы эпитаксиальные плёнки на базе соединения Mn5Ge3 с различным эпитаксиальным упорядочением на подложках кремния. Рост эпитаксиальных плёнок будет достигаться через формирование буферных градиентных слоёв, обеспечивающих согласование кристаллических решёток подложек кремния и германидов. Будут изучены вопросы влияния эпитаксиального упорядочения на кристаллическую структуру и их магнитные, электрические, оптические и другие основные физические, физико-химические свойства. Представляют интерес как простые эпитаксиальные структуры ФМ/ПП, так и многослойные магнитные и гибридные структуры различных составов, в частности, трёхслойные гибридные структуры ФМ/ПП/ФМ, перспективные для вертикальных и планарных устройств полупроводниковой спинтроники. Совмещая ранее разработанную технологию роста силицида железа и полученную в ходе выполнения проекта информацию о нюансах роста (Mn)5±x(Ge)3±x будут получены многослойные структуры различного состава. Планарные и вертикальные гибридные структуры, сочетающие в себе ФМ и ПП слои, необходимы для изучения явлений переноса спинового состояния в полупроводниках и продвижения и развития спинтроники.
Год издания:2023
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки
