Библиографическое описание:АНОМАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТОНКИХ ПЛЕНКАХ MN5GE3 ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ SI(111) : доклад, тезисы доклада / И. А. Соболев [и др.]. - [Б. м. : б. и.], 2022. - Текст : непосредственный // РЕШЕТНЕВСКИЕ ЧТЕНИЯ : материалы XXVI Международной научно-практической конференции, посвященной памяти генерального конструктора ракетно-космических систем академика М. Ф. Решетнева / РЕШЕТНЕВСКИЕ ЧТЕНИЯ (2022 ; 09.11 - 11.11 ; Красноярск). - Красноярск : Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева", 2022. - Часть 1. - С. 666-668. - ISBN 9785864339244. Перевод заглавия: ANOMALOUS HALL EFFECT IN EPITAXIAL MN5GE3 THIN FILMS GROWN ON SI(111) SUBSTRATES
Аннотация:В настоящей работе представлены исследования эффекта Холла и удельного сопротивления тонких пленок Mn5Ge3, выращенных на кремниевых подложках. Полученные результаты указывают на высокое качество полученных пленок. Удельное сопротивление пленок при температуре 3 К составляет 18 мкОм×см, что меньше по сравнению с пленками, выращенными на других подложках. Всё это делает пленки Mn5Ge3 перспективными для внедрения в кремниевую электронику.
This work shows study of the Hall effect and resistivity of Mn5Ge3 thin films grown on silicon substrates. The result indicates the high quality of the obtained films. The resistivity of the films at 3 K is 18 μOhm×cm, which is less than films grown on other substrates All this makes the films promising for implementation in silicon electronics.
Издательство:Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева, Красноярск
Ключевые слова:hall resistance, anomalous Hall effect, resistivity of the films, hysteresis, сопротивление Холла, аномальный эффект Холла, удельное сопротивление пленок, гистерезис
