Библиографическое описание:Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур : научное издание / Ф. А. Барон [и др.]. - Текст : непосредственный // Письма в Журнал технической физики. - 2022. - Т. 48, № 20. - С. 39-42. - *Финансирование работы Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008). - ISSN 0320-0116, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292.
Аннотация:Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiN<sub>x</sub>O<sub>y</sub> с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN<sub>0.87</sub>O<sub>0.97</sub> толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.
The temperature dependence of the resistivity of titanium oxynitride TiNxOy thin films with different oxygen and nitrogen content obtained by atomic layer deposition was investigated. We found that the resistance of all films monotonically decreased with increasing temperature and varied within a wide range depending on the chemical composition and thickness of the film. The technology for obtaining a compact temperature sensor of wide range from helium to room temperature based on 40-nm thick TiN0.87O0.97 is presented.
Издательство:Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург
Источник:Письма в Журнал технической физики
Выпуск:Т. 48, № 20
Номера страниц:39-42
Держатель оригинала документа:Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта, Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки
