Библиографическое описание:Равновесное распределение дефектов в теллуриде кадмия до воздействия внешних факторов : научное издание / Н. Н. Паклин, Ю. Ю. Логинов, А. В. Мозжерин. - Текст : непосредственный // Сибирский аэрокосмический журнал. - 2022. - Т. 23, № 2. - С. 315-320. - ISSN 2712-8970, DOI 10.31772/2712-8970-2022-23-2-315-320.
Аннотация:Надежность электронного оборудования, в том числе и в аэрокосмической отрасли, как в нормальных, так и в экстремальных условиях сопряжена с деградацией материалов ввиду формирования и развития дефектной сети. Теллурид кадмия - один из полупроводников, который активно используется при создании солнечных элементов и современных устройств микроэлектроники. В работе предложена модель распределения точечных дефектов в теллуриде кадмия до воздействия какого-либо ионизирующего излучения, что позволило рассчитать эффективную энергию тепловой активации пары Френкеля - 1,37 эВ. Исследования особенностей формирования и эволюции дефектов с применением методов моделирования в теллуриде кадмия, в перспективе позволит повысить качество его технологического использования, экономя финансовые ресурсы и повышая надежность изделий.
The reliability of electronic equipment, including in the aerospace industry, both under normal and extreme conditions, is associated with the degradation of materials due to the formation and development of a defective network. Cadmium telluride is one of the semiconductors that is actively used in the creation of solar cells and modern microelectronic devices. In this paper, the model of the point defects distribution in cadmium telluride before exposure to any ionizing radiation is proposed, that made it possible to calculate the effective thermal activation energy of a Frenkel pair equal to 1.37 eV. Studies of the features of the defects formation and evolution using modeling methods in cadmium telluride, in the future, will improve the quality of its technological use, saving financial resources and increasing the reliability of products.
Издательство:Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск
Источник:Сибирский аэрокосмический журнал
Выпуск:Т. 23, № 2
Номера страниц:315-320
Держатель оригинала документа:Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева, Сибирский федеральный университет
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки
