Влияние режимов обработки конденсаторных структур на основе пористого кремния и сегнетоэлектрика на их диэлектрические потери в ВЧ- и СВЧ-диапазонах : научное издание
Библиографическое описание:Влияние режимов обработки конденсаторных структур на основе пористого кремния и сегнетоэлектрика на их диэлектрические потери в ВЧ- и СВЧ-диапазонах : научное издание / О. В. Семенова [и др.]. - Текст : непосредственный // Химическая технология. - 2022. - Т. 23, № 4. - С. 168-173. - ISSN 1684-5811, DOI 10.31044/1684-5811-2022-23-4-168-173.
Аннотация:В высокочастотных приложениях в текущем десятилетии нынешнего века получили развитие конденсаторы с использованием кремниевых материалов и технологий. С целью уменьшения диэлектрических потерь кремниевых конденсаторов в области ВЧ- и СВЧ-диапазонов рассмотрена возможность создания конденсаторных структур на основе пористого кремния с внедренными в поры оксидными сегнетоэлектриками - титанатами бария и стронция, которые имеют размытый фазовый переход. Проведены исследования по созданию сегнетоэлектрических структур на основе матрицы пористого кремния с внедрением титаната бария и титаната стронция с помощью метода электрохимического анодирования и экстракционно-пиролитического метода. Проведены экспериментальные исследования диэлектрических потерь конденсаторных структур на основе матрицы пористого кремния с внедренным сегнетоэлектриком, которые показали возможность применения полученных конденсаторных структур в ВЧ- и СВЧ-диапазонах.
In the current decade of this century, capacitors using silicon materials and technologies have been developed in high-frequency applications. In order to reduce the dielectric loss of the silicon capacitors in the RF and microwave ranges, the possibility of creating capacitor structures based on porous silicon with oxide ferroelectrics embedded in the pores (barium and strontium titanates), which have a blurred phase transition, was considered. Studies have been carried out for the creation of ferroelectric structures based on a porous silicon matrix with the introduction of barium titanate and strontium titanate, using the electrochemical anodizing method and the extraction-pyrolytic method. Experimental studies of dielectric loss of capacitor structures based on a porous silicon matrix with an embedded ferroelectric were carried out, which demonstrated the possibility of using the obtained capacitor structures in the RF and microwave ranges.
Держатель оригинала документа:Балтийский технический университет «ВОЕНМЕХ» им. Д. Ф. Устинова, Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, Сибирский федеральный университет
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки
