Библиографическое описание:Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства : научное издание / А. В. Лукьяненко [и др.]. - Текст : непосредственный // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2021. - №1. - С. 74-79. - ISSN 1028-0960, DOI 10.31857/S1028096021010106.
Аннотация:Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.
Semiconductor nanowires represent unique materials for studying nanoscale phenomena, and the possibility of forming silicon nanowires in a downstream process using bulk silicon on insulator (SOI) substrates allows this technology to be fully integrated into electronic systems. Among other things, the use of ferromagnetic contacts in combination with the good quality of the ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, in designing a spin transistor. A simple approach to creating active devices based on semiconductor nanowires, namely, Schottky field-effect transistors with a lower gate and a metal (Fe) source and drain, synthesized on a SOI substrate, is demonstrated, and their transport characteristics are obtained.
Издательство:Российская академия наук, Институт физики твердого тела РАН, Москва
Источник:Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Выпуск:№1
Номера страниц:74-79
Держатель оригинала документа:Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки
