Библиографическое описание:Влияние структурных свойств на электросопротивление тонких пленок Al/Ag в процессе твердофазной реакции : научное издание / Р. Р. Алтунин, Е. Т. Моисеенко, С. М. Жарков. - Текст : непосредственный // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, № 4. - С. 621-626. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2020.04.49130.652. Перевод заглавия: The effect of structural properties on the electrical resistance of thin Al/Ag films during the solid-state reaction
Аннотация:На основании результатов исследования процессов твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag (атомное соотношение Al : Ag = 1 : 3) методами in situ дифракции электронов и измерения величины удельного электросопротивления установлена температура начала реакции, а также предложена модель структурных фазовых переходов. Твердофазная реакция начинается при 70<sup>o</sup>C с образования твердого раствора Al-Ag на границе раздела нанослоев алюминия и серебра. Установлено, что в процессе реакции последовательно формируются интерметаллические соединения γ-Ag<sub>2</sub>Al -> μ-Ag<sub>3</sub>Al. Показано, что возможность формирования фазы μ-Ag<sub>3</sub>Al при твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag зависит от соотношения алюминия и серебра, при этом формирование фазы μ-Ag<sub>3</sub>Al начинается только после того как весь ГЦК-алюминий прореагирует. Ключевые слова: тонкие пленки, фазообразование, Al/Ag, твердофазная реакция, дифракция электронов, удельное электросопротивление.
Based on the study of a solid-state reaction process in Al/Ag thin films (the atomic ratio being Al:Ag=1:3) carried out by in situ electron diffraction method and electrical resistivity measurements, the reaction initiation temperature has been determined and a model of structural phase transitions occurring during the solid-state reaction has been proposed. The solid-state reaction begins at 70°C with the formation of an Al-Ag solid solution at the interface of aluminum and silver nanolayers. It has been found that in the reaction process intermetallic compounds γ-Ag2Al => µ-Ag3Al are successively formed. It has been established that for the formation of the µ-Ag3Al phase in thin films (up to 100 nm) the following is necessary: first, significant excess of silver over aluminum in the atomic composition, second, the formation of the µ-Ag3Al phase begins only after all the FCC aluminum has reacted. The work was supported by the Russian Science Foundation (grant #18-13-00080).
