ИССЛЕДОВАНИЕ В ВЫСОКОВОЛЬТНОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ КИНЕТИКИ ОБРАЗОВАНИЯ АТОМНЫХ И ВАКАНСИОННЫХ СКОПЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ А2В6 ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 400 КЭВ : доклад, тезисы доклада
доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Библиографическое описание:ИССЛЕДОВАНИЕ В ВЫСОКОВОЛЬТНОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ КИНЕТИКИ ОБРАЗОВАНИЯ АТОМНЫХ И ВАКАНСИОННЫХ СКОПЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ А2В6 ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 400 КЭВ : доклад, тезисы доклада / Ю. Ю. Логинов, А. В. Мозжерин, А. В. Брильков. - Текст : непосредственный // Решетневские чтения : Материалы XXIII Международной научно-практической конференции, посвященной памяти генерального конструктора ракетно-космических систем академика М.Ф. Решетнева. В 2-х частях / Под редакцией Ю.Ю. Логинова ; Решетневские чтения (2019 ; 11.11 - 15.11 ; Красноярск). - Красноярск : Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева", 2019. - Часть 1. - С. 563-564. - ISBN 978-5-86433-789-9. Перевод заглавия: COMPUTER SIMULATION OF THE STRUCTURAL DEFECTS FORMATION IN CADMIUM TELLURIDE
Аннотация:Методами высоковольтной электронной микроскопии исследована кинетика образования атомных и вакансионных скоплений в полупроводниках А2В6 при облучении электронами с энергией 400 кэВ. Определены зависимости радиусов скоплений междоузельных атомов и вакансий в зависимости от времени облучения. Рассчитаны кинетические параметры, такие как, энергии активации процессов образования атомных и вакансионных скоплений при облучении электронами. Результаты необходимо учитывать при анализе срока активного существования полупроводниковых приборов в условиях космической и земной радиации.
The kinetics of the formation of atomic and vacancy clusters in A2B6 semiconductors under irradiation with 400 keV electrons in a high-voltage electron microscope was studied. The dependences of the radii of clusters of interstitial atoms and vacancies depending on the irradiation time are determined. Kinetic parameters, such as the activation energies of the formation of atomic and vacancy clusters upon electron irradiation, were calculated. The results must be taken into account when analyzing the active life of semiconductor devices in space and terrestrial radiation.
Издательство:Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева, Красноярск
Держатель оригинала документа:Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева, Сибирский федеральный университет
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки
