1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИМЕТОДА ВЫРАЩИВАНИЯКРИСТАЛЛОВ ПО СПОСОБУЧОХРАЛЬСКОГО :научное издание Юленков С.Е.Котельникова С.В.Саханский С.П.2018 год

ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ МЕТОДА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПО СПОСОБУ ЧОХРАЛЬСКОГО : научное издание
статья из журнала

Дополнительные ссылки: eLibrary
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ МЕТОДА ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПО СПОСОБУ ЧОХРАЛЬСКОГО : научное издание / С. Е. Юленков, С. В. Котельникова, С. П. Саханский. - Текст : непосредственный // Решетневские чтения. - 2018. - Т. 2, № . - С. 218-219. - ISSN 1990-7702. Перевод заглавия: KEY FEATURES OF METHOD OF GROWING CRYSTALS BY THE WAY OF CZOCHRALSKI
Аннотация: Рассматривается характеристика метода Чохральского, показаны структура аппарата и пример оборудования для выращивания кристаллов по данному способу, даны фамилии некоторых ученых и некоторые научные издания по данной проблематике.
The article considers characteristic of the Czochralski method, shows the structure of the apparatus and example of equipment for growing crystals by this method, given names some scientists and some scientific publications on this issue.
Год издания: 2018
Авторы: Юленков С.Е. , Котельникова С.В. , Саханский С.П.
Издательство: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева, Красноярск
Источник: Решетневские чтения
Выпуск: Т. 2
Номера страниц: 218-219
Держатель оригинала документа: Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Похожие публикации

ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИКОНТАКТНОГО МЕТОДАИЗМЕРЕНИЯ ТЕКУЩЕЙПЛОЩАДИ КРИСТАЛЛОВ,ВЫРАЩИВАЕМЫХ СПОСОБОМЧОХРАЛЬСКОГО Саханский С.П.Юленков С.Е.2018 год

ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ КОНТАКТНОГО МЕТОДА ИЗМЕРЕНИЯ ТЕКУЩЕЙ ПЛОЩАДИ КРИСТАЛЛОВ, ВЫРАЩИВАЕМЫХ СПОСОБОМ… : научное издание

  • Саханский С.П. и др.
  • 2018 год
Анализ точностиконтактного методаизмерения площадикристаллов,выращиваемых способомЧохральского Саханский С.П.Юленков С.Е.2019 год

Анализ точности контактного метода измерения площади кристаллов, выращиваемых способом Чохральского : научное издание

  • Саханский С.П. и др.
  • 2019 год
ИСПОЛЬЗОВАНИЕИНФОРМАЦИОННЫХТЕХНОЛОГИЙ ПРИИЗУЧЕНИИ МЕТОДАЧОХРАЛЬСКОГО Юленков С.Е.Котельникова С.В.Саханский С.П.2018 год

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ПРИ ИЗУЧЕНИИ МЕТОДА ЧОХРАЛЬСКОГО : доклад, тезисы доклада

  • Юленков С.Е. и др.
  • 2018 год
Выращивание объемныхкристаллов оксидагаллия из расплаваметодом Чохральскогов кислородсодержащейатмосфере Закгейм Д. А.Панов Д. Ю.Спиридонов В. А.2020 год

Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в… : статья из журнала

  • Закгейм Д. А. и др.
  • 2020 год
Образование фасеток вкристаллах GaAs,легированных Sn и Te,при выращиванииметодом Чохральского Югова Т. Г.Князев С. Н.Павлова О. С.2022 год

Образование фасеток в кристаллах GaAs, легированных Sn и Te, при выращивании методом Чохральского : статья из журнала

  • Югова Т. Г. и др.
  • 2022 год
Изучение методаЧохральского в рамкахдисциплины"Теоретические основыавтоматизированногоуправления" в СибГУим. М… Юленков Святослав ЕвгеньевичКотельникова СветланаВладимировнаСаханский Сергей Павлович2018 год

Изучение метода Чохральского в рамках дисциплины "Теоретические основы автоматизированного… : научное издание

  • Юленков Святослав Евгеньевич и др.
  • 2018 год
Поликристалличность вкристаллах арсенидагаллия, выращенныхметодом Чохральского Павлова О. С.Югова Т. Г.Князев С. Н.2021 год

Поликристалличность в кристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чохральского : статья из журнала

  • Павлова О. С. и др.
  • 2021 год
Структурныеособенности,связанные сдвойникованием впроцессе ростамонокристалловарсенида галлияметодом Чохральского Югов А. А.Пугачев Б. В.Югова Т. Г.2020 год

Структурные особенности, связанные с двойникованием в процессе роста монокристаллов арсенида… : статья из журнала

  • Югов А. А. и др.
  • 2020 год

Показать ещё

Влияние режимовтеплоотдачи на полетемпературы вкристаллах в методеЧохральского Митин К. А.Бердников В. С.2022 год

Влияние режимов теплоотдачи на поле температуры в кристаллах в методе Чохральского : статья из журнала

  • Митин К. А. и др.
  • 2022 год
Адаптивныеавтоматизированныесистемы управленияпроцессамивыращиваниямонокристалловметодамиЧохральского,… Бородин А. В.Бородин В. А.Францев Д. Н.2022 год

Адаптивные автоматизированные системы управления процессами выращивания монокристаллов методами… : статья из журнала

  • Бородин А. В. и др.
  • 2022 год
ПРИВОД ВРАЩЕНИЯ ИПЕРЕМЕЩЕНИЯ ЗАТРАВКИДЛЯ УСТАНОВОКВЫРАЩИВАНИЯМОНОКРИСТАЛЛОВКРЕМНИЯ МЕТОДОМЧОХРАЛЬСКОГО Андриянов В.Сидельников С.Горячкин С.2020 год

ПРИВОД ВРАЩЕНИЯ И ПЕРЕМЕЩЕНИЯ ЗАТРАВКИ ДЛЯ УСТАНОВОК ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ… : научное издание

  • Андриянов В. и др.
  • 2020 год
К вопросу оформообразованиипрофилированныхкристаллов кремнияпри их выращивании поспособу Степанова Онищук Сергей АлексеевичТумаев Евгений Николаевич2017 год

К вопросу о формообразовании профилированных кристаллов кремния при их выращивании по способу… : статья из журнала

  • Онищук Сергей Алексеевич и др.
  • 2017 год
Особенностиформированиядислокационнойструктуры вмонокристаллахарсенида галлия,полученных методомЧохральского Парфентьева И. Б.Пугачев Б. В.Павлов В. Ф.2017 год

Особенности формирования дислокационной структуры в монокристаллах арсенида галлия, полученных… : статья из журнала

  • Парфентьева И. Б. и др.
  • 2017 год
Исследованиеобъемногорадиационногопереноса тепла вкристалле и расплавес помощью численногомоделирования при… Васильев М. Г.Бахолдин С. И.Крымов В. М.2020 год

Исследование объемного радиационного переноса тепла в кристалле и расплаве с помощью численного… : статья из журнала

  • Васильев М. Г. и др.
  • 2020 год
Влияние низкогоосевого градиентатемпературы навыращиваниекристаллов Ge:Gaвертикальным методомБриджмена Кожемякин Г. Н.Стрелов В. И.Сидоров В. С.2020 год

Влияние низкого осевого градиента температуры на выращивание кристаллов Ge:Ga вертикальным… : статья из журнала

  • Кожемякин Г. Н. и др.
  • 2020 год
СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕМЕТОДА ПОДГОТОВКИШИХТЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯКРИСТАЛЛОВ Bi12SiO20 Бермешев Т.В.Бундин М.П.Шлегель В.Н.2025 год

СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ МЕТОДА ПОДГОТОВКИ ШИХТЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Bi12SiO20 : научное издание

  • Бермешев Т.В. и др.
  • 2025 год