База данных:Каталог библиотеки СФУ (З996-52-060.7-7с344,0)
Библиографическое описание:Эллипсометрия процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Hg1-xCdxTe : диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Швец Василий Александрович; [Место защиты: Ин-т физики] ; Институт физики. - , 2010. - 234 с. - .
Аннотация:Цель: разработка и применение эллипсометрических методов диагностики процессов молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе полупроводникового соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Дан анализ точности измерений для используемой статической схемы эллипсометра, и найдены поправки к измеряемым эллипсометрическим параметрам, связанные с учетом различных приборных несовершенств. Проведены исследования и измерены оптические постоянные КРТ, GaAs, ZnTe и других материалов, изучена их зависимость от температуры и от состава. На основе выполненных экспериментов разработаны эллипсометрические методики, позволяющие контролировать в процессе роста качество очистки поверхности подложки GaAs, структурное совершенство буферного слоя ZnTe, состав слоев КРТ и скорость их роста, морфологию поверхности, температуру эпитаксии. Проведен теоретический анализ взаимодействия поляризованного света с оптически неоднородными и многослойными структурами. Предложены точные и приближенные методы решения прямой и обратной задач для таких структур, новые оригинальные методики для обработки экспериментальных кинетических зависимостей эллипсометрических параметров, получены соответствующие численные алгоритмы. При полном эллипсометрическом контроле выращены наноструктуры КРТ, на которых экспериментально обнаружены эффекты размерного квантования. Результаты используются в ИФП СО РАН для технологического in situ контроля при выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии фоточувствительных структур КРТ.
