1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Успехи современной радиоэлектроники»
  5. Выпуск 2014 г. № 9 (50 лет Факультету физической и квантовой электроники Московского физико-технического института)
Особенностиэпитаксиальноговыращиваниягетероструктур длятвердотельногоосвещения Буробин В. А.Волошин А. Ю.Каргин Н. И.2014 год

Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения = Aspects of heteroepitaxial growth processes for solid-state lighting applications / В. А. Буробин [и др.]. - Текст : непосредственный // Успехи современной радиоэлектроники. - 2014. - № 9. - С. 53-56 : 2 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 55-56 (6 назв. ). - (50 лет Факультету физической и квантовой электроники Московского физико-технического института). - ISSN 0021-3470.
Аннотация: Рассмотрены современные тенденции производства гетероэпитаксиальных структур для твердотельного освещения общего назначения. Приведены основные методы подготовки поверхности кремниевой пластины для эпитаксиального выращивания слоев InGaN/GaN. Предложены различные подходы к формированию буферных слоев GaN высокого качества.
Год издания: 2014
Авторы: Буробин В. А. , Волошин А. Ю. , Каргин Н. И. , Макаров А. А. , Щука А. А.
Источник: Успехи современной радиоэлектроники
Выпуск: № 9
Номера страниц: 53-56
Количество экземпляров:
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Особенности процессовэпитаксиального ростананогетероструктурInAlN/InGaN дляСВЧ-транзисторовкоммуникационныхсистем Арендаренко А. А.Данилин В. Н.Макаров А. А.2016 год

Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов… : статья из журнала

  • Арендаренко А. А. и др.
  • 2016 год
Особенностиразработки процессавыращивания структурInAlN/GaN методомгазофазной эпитаксииизметаллорганических… Буробин В. А.Каргин Н. И.Коновалов А. М.2014 год

Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из… : статья из журнала

  • Буробин В. А. и др.
  • 2014 год
Сеточныетвердотельныемодуляторы дляпередающих устройствРЛС Скупяко М. В.Млинник А. Ю.Монин С. В.2014 год

Сеточные твердотельные модуляторы для передающих устройств РЛС : статья из журнала

  • Скупяко М. В. и др.
  • 2014 год
Лампа-автомат длядежурного освещения Нечаев И.2016 год

Лампа-автомат для дежурного освещения : статья из журнала

  • Нечаев И.
  • 2016 год
Использованиеальтернативныхэнергосберегающихсветильников дляосвещения салоновгородскогоэлектротранспорта Плесконос Л. В.Седых К. И.Сержевский Н. А.2015 год

Использование альтернативных энергосберегающих светильников для освещения салонов городского… : статья из журнала

  • Плесконос Л. В. и др.
  • 2015 год
Определениеспектральнойэффективностиизлучения импульснойлампы для оптическойнакачкитвердотельного ИАГ:Nd3+-лазера Поляков В. Е.Потапов А. И.Сясько В. А.2013 год

Определение спектральной эффективности излучения импульсной лампы для оптической накачки… : статья из журнала

  • Поляков В. Е. и др.
  • 2013 год
Исследованияхарактеристиксветодиодов ипрогнозированиепотенциальной степенидеградации Архипов А. Л.Никифоров С. Г.Рабинович О. И.2014 год

Исследования характеристик светодиодов и прогнозирование потенциальной степени деградации : статья из журнала

  • Архипов А. Л. и др.
  • 2014 год
Функциональные икоммутационныеособенностивысоковольтногосильноточногополупроводниковогоключа для… Кувшинов А. А.Хренников А. Ю.2014 год

Функциональные и коммутационные особенности высоковольтного сильноточного полупроводникового… : статья из журнала

  • Кувшинов А. А. и др.
  • 2014 год

Показать ещё

Светодиоды дляогурцов 2018 год

Светодиоды для огурцов : статья из журнала

  • 2018 год
Оценка числазажженных элементовгазоразрядногоиндикатора при ихпараллельномвозбуждении Шестеркин А. Н.2014 год

Оценка числа зажженных элементов газоразрядного индикатора при их параллельном возбуждении : статья из журнала

  • Шестеркин А. Н.
  • 2014 год
Вероятностныехарактеристикиуровнейэлектромагнитногопораженияполупроводниковыхприборов ирадиоэлектронныхсредств Волков А. А.2017 год

Вероятностные характеристики уровней электромагнитного поражения полупроводниковых приборов и… : статья из журнала

  • Волков А. А.
  • 2017 год
Программный комплексрасчета начальногоучастка ВАХрезонансно-туннельного диода свозможностьюпроведения машинного… Черкасов К. В.Мешков С. А.Иванов Ю. А.2019 год

Программный комплекс расчета начального участка ВАХ резонансно-туннельного диода с возможностью… : статья из журнала

  • Черкасов К. В. и др.
  • 2019 год
Новогодняя елочка сосветодиоднымигирляндами Носовец А.Яндулкин И.2018 год

Новогодняя елочка со светодиодными гирляндами : статья из журнала

  • Носовец А. и др.
  • 2018 год
Оценка добротностибалочногомикрорезонатора сучетом многослойностиего структуры Бестугин А. Р.Филонов О. М.Овчинникова Н. А.2018 год

Оценка добротности балочного микрорезонатора с учетом многослойности его структуры : статья из журнала

  • Бестугин А. Р. и др.
  • 2018 год
Обзор методовизмеренияS-параметровтранзисторов СВЧ и ихсравнительный анализ Савелькаев С. В.2018 год

Обзор методов измерения S-параметров транзисторов СВЧ и их сравнительный анализ : статья из журнала

  • Савелькаев С. В.
  • 2018 год
Анализ зависимостипроцесса диссипациикинетической энергиив микрорезонаторах оттемпературыокружающей среды Бестугин А. Р.Филонов О. М.Киршина И. А.2017 год

Анализ зависимости процесса диссипации кинетической энергии в микрорезонаторах от температуры… : статья из журнала

  • Бестугин А. Р. и др.
  • 2017 год