1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
  5. Выпуск 2015 г. Том 8. № 3

The GaN Era has Arrived in SATCOM Power Amplifiers
статья из журнала

Полный текстЗаказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (T 95)
Библиографическое описание: Turner, S. . The GaN Era has Arrived in SATCOM Power Amplifiers = Эпоха GaN в усилителях мощности САТКОМ / S. Turner. - Текст : непосредственный // Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. - 2015. - Т. 8, № 3. - С. 297-303 : рис. - Библиогр.: с. 303. - ISSN 1999-494X.
Аннотация: В статье описаны функции, характеристики транзисторов GaN с высокой подвижностью электронов в усилителях мощности. Предельной рабочей температурой широко распространенных до настоящего времени арсенид-галлиевых GaAs-транзисторов является 175 °C. Они уступают транзисторам на основе нитрида галлия GaN, устойчиво работающих и сохраняющих частотные характеристики при рабочих температурах до 2500 °C. Это значительно уменьшает проблему отвода тепла. Эти транзисторы работают при напряжении питания до 100 В против максимально 20 В для GaAs-транзисторов при эквивалентной мощности выходного сигнала. Поэтому GaN-транзисторы и усилители мощности на них особенно актуальны для приложений в космической сфере. В Paradise Datacom (США) разработаны усилители мощности в различных диапазонах частот с мощностью выходного сигнала от 50 до 750 Вт.
Год издания: 2015
Авторы: Turner S.
Источник: Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
Выпуск: Т. 8, № 3
Номера страниц: 297-303
Количество экземпляров:

Всего свободно 7 из 7 экземпляров.

  • Читальный зал Б307 (пр. Свободный, 79, к. Б3-07): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Отдел формирования информационно-библиотечных ресурсов (пр. Свободный, 79, к. Б2-20): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, Б1-14): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Читальный зал (пер. Вузовский, 6Д): свободно 2 из 2 экземпляров
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Информационно-библиографический отдел (ул. Л. Прушинской, 2, к. 3-06): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Проектирование и испытания pHEMT GAAS МИС коммутируемого по входу МШУ собственного производства…

  • Школьный В. Н. и др.
  • 2016 год

Система тепловых труб в составе радиоэлектронного оборудования космического аппарата

  • Соколов Н. Ю. и др.
  • 2021 год

Amplification of Light by Molecules with Selectively Oriented States in the Pulsed Electric Field

  • Kuzovatov Igor и др.
  • 2016 год

Sharing Economy Phenomenon in the Digitization Era

  • Revenko Lilia и др.
  • 2019 год

Сравнительный анализ способов передачи данных в широкополосных радионавигационных системах с…

  • Бондаренко Валерий Н.
  • 2008 год

Abnormal Phenomena in the Tropical Part of the World Ocean According to MODIS-Aqua Satellite Data

  • Vysotskaya Galina S. и др.
  • 2024 год

To the Issue of Application of Unstabilized Voltage in the Power Supply System of Spacecraft

  • Gebgardt Viktor A. и др.
  • 2025 год

The Concepts of Legal Status of the Permanent Establishment in the Era of Digital Economy

  • Ponomareva Karina
  • 2019 год

Показать ещё