Структурные и оптические характеристики гетероструктур SiC/Si, полученных методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремниястатья из журнала
Похожие публикации
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111) : статья из журнала
- Середин П. В. и др.
- 2020 год
Рост полупроводниковых III-V гетероструктур на подложках SiC/Si : статья из журнала
- Шарофидинов Ш. Ш. и др.
- 2019 год
Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на… : статья из журнала
- Мизеров А. М. и др.
- 2019 год
Влияние нейтронного облучения на характеристики SiC- и Si-детекторов : статья из журнала
- Гуров Ю. Б. и др.
- 2024 год
Гетероструктура 2D SiC/Si: электронные состояния и адсорбционная способность : статья из журнала
- Давыдов С. Ю. и др.
- 2020 год
Влияние толщины n-Si подложки и уровня ее легирования на поглощающие свойства кремниевых… : статья из журнала
- Мухаммад А. И. и др.
- 2021 год
Оптические свойства композитной структуры a-SiC:H/Ag/c-Si : статья из журнала
- Пригода К. В. и др.
- 2025 год
Образование гексагональной фазы кремния 9R-Si при имплантации системы SiO[2]/Si ионами Kr{+} : статья из журнала
- Никольская А. А. и др.
- 2023 год