1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Исследованиеособенностейэпитаксиального ростаGaAs на подложках Si,модифицированныхфокусированнымиионными пучками Балакирев С. В.Еременко М. М.Лахина Е. А.2022 год

Исследование особенностей эпитаксиального роста GaAs на подложках Si, модифицированных фокусированными ионными пучками
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (И 889)
Библиографическое описание: Исследование особенностей эпитаксиального роста GaAs на подложках Si, модифицированных фокусированными ионными пучками / С. В. Балакирев, М. М. Еременко, Е. А. Лахина [и др.]. - (Полупроводники). - Текст : непосредственный // Физика твердого тела. - 2022. - Т. 64, вып. 6. - С. 605-611 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.). - ISSN 0367-3294.
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния режимов модификации фокусированными ионными пучками локальных участков подложки Si на закономерности последующего роста слоев GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
Год издания: 2022
Авторы: Балакирев С. В. , Еременко М. М. , Лахина Е. А. , Кириченко Д. В. , Шандыба Н. А. , Черненко Н. Е. , Агеев О. А. , Солодовник М. С.
Источник: Физика твердого тела
Выпуск: Т. 64, вып. 6
Номера страниц: 605-611
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Похожие публикации

Исследование влияниядозы ионно-лучевойобработки поверхностиSi(111) на процессыроста нитевидныхнанокристаллов GaAs Шандыба Н. А.Черненко Н. Е.Балакирев С. В.2022 год

Исследование влияния дозы ионно-лучевой обработки поверхности Si(111) на процессы роста… : статья из журнала

  • Шандыба Н. А. и др.
  • 2022 год
Исследование влияниярежимов отжигаподложки GAAS(111) нахарактеристикинаноуглублений,формируемыхфокусированными… Лахина Екатерина АлександровнаЧерненко Наталия ЕвгеньевнаШандыба Никита Андреевич2024 год

Исследование влияния режимов отжига подложки GAAS(111) на характеристики наноуглублений,… : статья из журнала

  • Лахина Екатерина Александровна и др.
  • 2024 год
Механизм ростаэпитаксиальных слоевGa[2]O[3] методомхлорид-гидриднойэпитаксии на подложкеSiC/Si (110) Кукушкин С. А.Осипов А. В.Убыйвовк Е. В.2025 год

Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga[2]O[3] методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC… : статья из журнала

  • Кукушкин С. А. и др.
  • 2025 год
Наноразмернаямодификацияповерхности кремнияметодомфокусированных ионныхпучков Коц И. Н.Полякова В. В.Морозова Ю. В.2022 год

Наноразмерная модификация поверхности кремния методом фокусированных ионных пучков : статья из журнала

  • Коц И. Н. и др.
  • 2022 год
Структурно-спектроскопические исследованияэпитаксиальных слоевGaAs, выращенных наподатливых подложкахна основе… Середин П. В.Голощапов Д. Л.Худяков Ю. Ю.2021 год

Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых… : статья из журнала

  • Середин П. В. и др.
  • 2021 год
Формированиянаноразмерныхструктур наповерхности кремниякомбинацией методовфокусированных ионныхпучков и… Климин В. С.Морозова Ю. В.Коц И. Н.2022 год

Формирования наноразмерных структур на поверхности кремния комбинацией методов фокусированных… : статья из журнала

  • Климин В. С. и др.
  • 2022 год
Микроструктураэпитаксиальных слоевGaN, полученных нананопрофилированныхSi(001)-подложках Мясоедов А. В.Берт Н. А.Бессолов В. Н.2021 год

Микроструктура эпитаксиальных слоев GaN, полученных на нанопрофилированных Si(001)-подложках : статья из журнала

  • Мясоедов А. В. и др.
  • 2021 год
Маска на основеэпитаксиального слояSi длясамокаталитическогороста нитевидныхнанокристаллов наподложках GaAs … Емельянов Е. А.Настовьяк А. Г.Петрушков М. О.2020 год

Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов… : статья из журнала

  • Емельянов Е. А. и др.
  • 2020 год

Показать ещё

Si-легированныеэпитаксиальные пленкина подложкахGaAs(110): морфологияповерхности,электрофизические… Клочков А. Н.Галиев Г. Б.Климов Е. А.2020 год

Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности,… : статья из журнала

  • Клочков А. Н. и др.
  • 2020 год
Исследование режимадвухстадийного ростагетероструктурGaAs/Si методоммолекулярно-лучевойэпитаксии Гелдаш Андрей АлександровичЕременко Михаил МихайловичКлимин Виктор Сергеевич2019 год

Исследование режима двухстадийного роста гетероструктур GaAs/Si методом молекулярно-лучевой… : статья из журнала

  • Гелдаш Андрей Александрович и др.
  • 2019 год
Сравнение процессовраспыления кремния идиоксида кремнияфокусированным ионнымпучком Румянцев А. В.Боргардт Н. И.2024 год

Сравнение процессов распыления кремния и диоксида кремния фокусированным ионным пучком : статья из журнала

  • Румянцев А. В. и др.
  • 2024 год
Влияние стратегиисканированияфокусированногоионного пучка напроцесс распылениякремния приформировании микро-и… Румянцев А. В.Боргардт Н. И.Волков Р. Л.2025 год

Влияние стратегии сканирования фокусированного ионного пучка на процесс распыления кремния при… : статья из журнала

  • Румянцев А. В. и др.
  • 2025 год
Исследованиеморфологииповерхности,электрофизическиххарактеристик испектровфотолюминесценцииэпитаксиальных… Галиев Г. Б.Климов Е. А.Зайцев А. А.2020 год

Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции… : статья из журнала

  • Галиев Г. Б. и др.
  • 2020 год
Экспонированиефокусированным ионнымпучком сверхтонкогоэлектронного резистадля созданияконтактовнаноразмерного… Царик К. А.2021 год

Экспонирование фокусированным ионным пучком сверхтонкого электронного резиста для создания… : статья из журнала

  • Царик К. А.
  • 2021 год
Формированиеосесимметричныхструктур в диоксидекремния методомфокусированногоионного пучка вкраевом режиме… Румянцев А. В.Боргардт Н. И.Волков Р. Л.2026 год

Формирование осесимметричных структур в диоксиде кремния методом фокусированного ионного пучка в… : статья из журнала

  • Румянцев А. В. и др.
  • 2026 год
Характеризациязернистой структурыэпитаксиального слоянизкотемпературногоGaAs на подложкеSi(100) методами… Сазонов В. А.Боргардт Н. И.Кукин В. Н.2022 год

Характеризация зернистой структуры эпитаксиального слоя низкотемпературного GaAs на подложке Si… : статья из журнала

  • Сазонов В. А. и др.
  • 2022 год