1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Накоплениеструктурных нарушенийпри облученииalpha-Ga[2]O[3]ионами P и PF[4] Карасев П. А.Карабешкин К. В.Стручков А. И.2022 год

Накопление структурных нарушений при облучении alpha-Ga[2]O[3] ионами P и PF[4]
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Н 224)
Библиографическое описание: Накопление структурных нарушений при облучении alpha-Ga[2]O[3] ионами P и PF[4] / П. А. Карасев, К. В. Карабешкин, А. И. Стручков [и др.]. - (Спектроскопия, взаимодействие с излучениями). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2022. - Т. 56, вып. 9. - С. 882-887 : ил. - Библиогр.: с. 886-887 (33 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация: Проведено исследование накопления радиационных повреждений в эпитаксиальных слоях alpha-фазы оксида галлия (alpha-Ga[2]O[3]) при облучении атомарными P и молекулярными PF[4] ионами с энергиями 40 и 140 кэВ соответственно. Распределение стабильных нарушений структуры в обоих случаях носит бимодальный характер. Дозы, необходимые для создания одинакового уровня разупорядочения в этой метастабильной фазе, оказываются существенно выше, чем в термодинамически стабильном полиморфе beta-Ga[2]O[3]. Показано, что скорость роста поверхностного разупорядоченного слоя при облучении молекулами PF[4] больше, чем при бомбардировке атомарными ионами P. В то же время концентрация дефектов в объемном максимуме оказывается выше при облучении атомарными ионами. Обнаружено сильное влияние плотности каскадов смещений на эффективность формирования стабильных повреждений кристаллической структуры при ионной бомбардировке alpha-оксида галлия.
We study radiation damage accumulation in alpha-polymorph of gallium oxide (alpha-Ga[2]O[3]) epitaxial layers under irradiation with 40 keV monatomic P and 140 keV molecular PF[4] ions. The distribution of stable structural damage is bimodal in both cases. The growth rate of the surface disordered layer under PF[4] ion irradiation is significantly higher than that under monatomic P ion bombardment. At the same time, monatomic ion irradiation is more efficient in the bulk defect peak formation. Thus, the density of displacement cascades strongly affects the formation of stable damage in alpha-gallium oxide. The doses required to create the same level of disorder in the metastable alpha-polymorph are higher than that in the thermodynamically stable beta-Ga[2]O[3]. Thus, mechanisms of damage formation in these polymorphs are different.
Год издания: 2022
Авторы: Карасев П. А. , Карабешкин К. В. , Стручков А. И. , Печников А. И. , Николаев В. И. , Андреева В. Д. , Титов А. И.
Источник: Физика и техника полупроводников
Выпуск: Т. 56, вып. 9
Номера страниц: 882-887
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Похожие публикации

Преимущественноераспыление приоблучении сплавовгазовыми кластернымиионами Черныш В. С.Иешкин А. Е.Киреев Д. С.2022 год

Преимущественное распыление при облучении сплавов газовыми кластерными ионами : статья из журнала

  • Черныш В. С. и др.
  • 2022 год
Облучение ионамиаргонаCr/4H-SiC-фотоприемников Калинина Е. В.Кудояров М. Ф.Никитина И. П.2022 год

Облучение ионами аргона Cr/4H-SiC-фотоприемников : статья из журнала

  • Калинина Е. В. и др.
  • 2022 год
Модифицированиеповерхностиуглеродного волокнавысокодознымоблучением ионамиуглерода Борисов А. М.Высотина Е. А.Машкова Е. С.2022 год

Модифицирование поверхности углеродного волокна высокодозным облучением ионами углерода : статья из журнала

  • Борисов А. М. и др.
  • 2022 год
P-n-структура,создаваемая наповерхности N-GaAsнизкоэнергетическимиионами Ar{+} Макаревская Е. А.Новиков Д. А.Микушкин В. М.2022 год

P-n-структура, создаваемая на поверхности N-GaAs низкоэнергетическими ионами Ar{+} : статья из журнала

  • Макаревская Е. А. и др.
  • 2022 год
Формированиенаночастиц Au иособенности травленияподложки Si послеоблучения атомарнымии молекулярнымиионами Тужилкин М. С.Беспалова П. Г.Мишин М. В.2020 год

Формирование наночастиц Au и особенности травления подложки Si после облучения атомарными и… : статья из журнала

  • Тужилкин М. С. и др.
  • 2020 год
Электронно-микроскопические исследованиямонокристаллическогокремния послеоблучения ионамиксенона низкихэнергий Подорожний О. В.Киреев Г. С.Кузнецов В. А.2025 год

Электронно-микроскопические исследования монокристаллического кремния после облучения ионами… : статья из журнала

  • Подорожний О. В. и др.
  • 2025 год
Влияние температурымишени на образованиенанорельефа приоблучении газовымикластерными ионами Киреев Д. С.Иешкин А. Е.Шемухин А. А.2020 год

Влияние температуры мишени на образование нанорельефа при облучении газовыми кластерными ионами : статья из журнала

  • Киреев Д. С. и др.
  • 2020 год
Моделированиепроцессов облученияструктур Cr/4H-SiCвысокоэнергетическимиионами Ar Чумак М. А.Калинина Е. В.Забродский В. В.2025 год

Моделирование процессов облучения структур Cr/4H-SiC высокоэнергетическими ионами Ar : статья из журнала

  • Чумак М. А. и др.
  • 2025 год

Показать ещё

Влияние облученияионами аргона среднихэнергий на структуруаустенитнойхромоникелевой стали Гущина Н. В.Махинько Ф. Ф.Овчинников В. В.2021 год

Влияние облучения ионами аргона средних энергий на структуру аустенитной хромоникелевой стали : статья из журнала

  • Гущина Н. В. и др.
  • 2021 год
Модель формированиянанорельефаповерхности приоблучении газовымикластерными ионами Бессмертный Д. Р.Иешкин А. Е.2024 год

Модель формирования нанорельефа поверхности при облучении газовыми кластерными ионами : статья из журнала

  • Бессмертный Д. Р. и др.
  • 2024 год
Модификациятопографии и составаповерхностиникелевогосуперсплава приоблучении газовымикластерными ионами Назаров А. В.Киреев Д. С.Косенюк Е. С.2025 год

Модификация топографии и состава поверхности никелевого суперсплава при облучении газовыми… : статья из журнала

  • Назаров А. В. и др.
  • 2025 год
Ионно-электроннаяэмиссия и эрозияповерхностинаноструктурногоникеля привысокодозномоблучении ионамиаргона с… Борисов А. М.Машкова Е. С.Овчинников М. А.2022 год

Ионно-электронная эмиссия и эрозия поверхности наноструктурного никеля при высокодозном облучении… : статья из журнала

  • Борисов А. М. и др.
  • 2022 год
Влияние облучениянизкоэнергетическимиионами гелия наспектральныйкоэффициент отражениямонокристаллических… Рогов А. В.Капустин Ю. В.Мартыненко Ю. В.2021 год

Влияние облучения низкоэнергетическими ионами гелия на спектральный коэффициент отражения… : статья из журнала

  • Рогов А. В. и др.
  • 2021 год
Особенностигеттерирования приоблучении ионамиаргонаCr/4H-SiC-фотоприемников Калинина Е. В.Никитина И. П.Кудояров М. Ф.2026 год

Особенности геттерирования при облучении ионами аргона Cr/4H-SiC-фотоприемников : статья из журнала

  • Калинина Е. В. и др.
  • 2026 год
Релаксация напряженийнесоответствия вгетероструктурахalpha-Ga[2]O[3]/alpha-Al[2]O[3] приобразованиидислокаций… Смирнов А. М.Кремлева А. В.Шарофидинов Ш. Ш.2021 год

Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах alpha-Ga[2]O[3]/alpha-Al[2]O[3] при… : статья из журнала

  • Смирнов А. М. и др.
  • 2021 год
Коррелированноенакоплениемикротрещин приударном поврежденииповерхности альфакварца,аморфизованнойимплантацией… Щербаков И. П.Чмель А. Е.2021 год

Коррелированное накопление микротрещин при ударном повреждении поверхности альфа кварца,… : статья из журнала

  • Щербаков И. П. и др.
  • 2021 год