Библиографическое описание:Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF[2]/Si(111) / В. А. Зиновьев, А. С. Дерябин, А. В. Кацюба [и др.]. - (XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-17 марта 2022 г.). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2022. - Т. 56, вып. 8. - С. 748-752 : ил. - Библиогр.: с. 752 (18 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Развиты подходы к получению эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si и Ge, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF[2]. Исследования методом комбинационного рассеяния света продемонстрировали наличие узких пиков рассеяния на колебаниях Si-Si- и Ge-Ge-связей в плоскости роста структур. В спектрах фотолюминесценции созданных структур обнаружены полосы излучения, которые могут быть связаны с излучательной рекомбинацией носителей заряда в двумерных слоях Si и Ge, встроенных в CaF[2].
Approaches to the formation of epitaxial structures containing two-dimensional Si and Ge layers embedded in a CaF[2] dielectric matrix have been developed. Raman study demonstrates the presence of narrow peaks related to Si-Si and Ge-Ge bond vibrations in the growth plane of structure. In the photoluminescence spectra of the created structures, emission bands, which can be associated with the radiative recombination of charge carriers in two-dimensional Si and Ge layers embedded in CaF[2] have been found.
