Библиографическое описание:Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN / И. В. Осинных, Т. В. Малин, А. С. Кожухов [и др.]. - (XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-17 марта 2022 г.). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2022. - Т. 56, вып. 7. - С. 677-684 : ил. - Библиогр.: с. 683-684 (30 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Методами атомно-силовой микроскопии и динамической вторично-ионной масс-спектрометрии были исследованы структурные свойства и структурное совершенство выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака Al[x]Ga[1-x]N/AlN/Al[2]O[3] гетероструктур с высокой концентрацией кремния в слоях Al[x]Ga[1-x]N: Si. Показано, что в случае, если буферные слои AlN металлической полярности содержат инверсионные домены азотной полярности, при последующем росте слоев Al[x]Ga[1-x]N: Si инверсионные домены не прорастают до поверхности, а меняют азотную полярность на металлическую. На месте инверсионных доменов AlN растут уширяющиеся колонны Al[x]Ga[1-x]N металлической полярности, которые срастаются с окружающей их матрицей металлической полярности в однородную пленку. Толщина, на которой происходит полное срастание, увеличивается с увеличением содержания Al в слоях.
Atomic force microscopy and dynamic secondary ion mass spectrometry were used to study the structural properties and crystal perfection of Al[x]Ga[1-x]N/AlN/Al[2]O[3] heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy with a high silicon concentration in Al[x]Ga[1-x]N: Si layers. It is shown that if AlN buffer layers of metallic polarity contain inversion domains of nitrogen polarity, during the subsequent growth of Al[x]Ga[1-x]N: Si layers, inversion domains do not grow to the surface, but change nitrogen polarity to metallic. In place of the inversion domains AlN, broadening columns Al[x]Ga[1-x]N of metallic polarity grow, which coalesce with the metallic polarity matrix surrounding them into an even uniform film. The thickness at which complete intergrowth occurs increases with increasing Al content in the layers.
