1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Выращивание слоевGaAs[1-x]Bi[x]методоммолекулярно-лучевойэпитаксии Семягин Б. Р.Колесников А. В.Путято М. А.2022 год

Выращивание слоев GaAs[1-x]Bi[x] методом молекулярно-лучевой эпитаксии
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (В 928)
Библиографическое описание: Выращивание слоев GaAs[1-x]Bi[x] методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Б. Р. Семягин, А. В. Колесников, М. А. Путято [и др.]. - (Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2022. - Т. 56, вып. 3. - С. 279-284 : ил. - Библиогр.: с. 283 (25 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои твердых растворов GaAs[1-x]Bi[x] с содержанием висмута 0
Год издания: 2022
Авторы: Семягин Б. Р. , Колесников А. В. , Путято М. А. , Преображенский В. В. , Попова Т. Б. , Ушанов В. И. , Чалдышев В. В.
Источник: Физика и техника полупроводников
Выпуск: Т. 56, вып. 3
Номера страниц: 279-284
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Похожие публикации

Исследованиекристаллическогосостояния слоевмолекулярно-лучевойэпитаксиигетероструктур(013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs… Дворецкий С. А.Ступак М. Ф.Михайлов Н. Н.2022 год

Исследование кристаллического состояния слоев молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур (013… : статья из журнала

  • Дворецкий С. А. и др.
  • 2022 год
Рост твердыхрастворов InAsxSb1-xна отклоненныхподложках GaAs(001)методоммолекулярно-лучевойэпитаксии Емельянов Е. А.Васев А. В.Семягин Б. Р.2019 год

Рост твердых растворов InAsxSb1-x на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой… : статья из журнала

  • Емельянов Е. А. и др.
  • 2019 год
Электрофизические ифотолюминесцентныеисследованиясверхрешeток\LT-GaAs/GaAs : Si\,выращенных методоммолекулярно… Галиев Г. Б.Климов Е. А.Клочков А. Н.2019 год

Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток \LT-GaAs/GaAs : Si\, выращенных методом молекулярно…

  • Галиев Г. Б. и др.
  • 2019 год
Планаризацияэпитаксиальных слоевHgCdTe, выращенных наподложках CdZnTeметодом жидкофазнойэпитаксии Трофимов А. А.Денисов И. А.Андрусов Ю. Б.2025 год

Планаризация эпитаксиальных слоев HgCdTe, выращенных на подложках CdZnTe методом жидкофазной… : статья из журнала

  • Трофимов А. А. и др.
  • 2025 год
Молекулярно-лучеваяэпитаксия GaSb навицинальных подложкахSi(001): влияниеусловий зарожденияслоев на их… Петрушков М. О.Путято М. А.Васев А. В.2022 год

Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения… : статья из журнала

  • Петрушков М. О. и др.
  • 2022 год
Мощные СВЧ-фотодиодына основегетероструктурInAlAs/InGaAs,синтезируемых методоммолекулярно-лучевойэпитаксии Журавлев К. С.Гилинский А. М.Чистохин И. Б.2021 год

Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно… : статья из журнала

  • Журавлев К. С. и др.
  • 2021 год
ФормированиеInAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямамина подложках кремнияметодоммолекулярно-лучевойэпитаксии Абрамкин Д. С.Петрушков М. О.Емельянов Е. А.2021 год

Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно… : статья из журнала

  • Абрамкин Д. С. и др.
  • 2021 год
Эллипсометрические insitu методы контролятемпературы втехнологиивыращивания слоев МЛЭКРТ Швец В. А.Марин Д. В.Азаров И. А.2021 год

Эллипсометрические in situ методы контроля температуры в технологии выращивания слоев МЛЭ КРТ : статья из журнала

  • Швец В. А. и др.
  • 2021 год

Показать ещё

Влияние нейтронногооблучения на спектрдефектов с глубокимиуровнями в GaAs,изготовленном методомжидкофазной… Соболев М. М.Солдатенков Ф. Ю.2022 год

Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном… : статья из журнала

  • Соболев М. М. и др.
  • 2022 год
Исследование процессадиффузии цинка вэпитаксиальные слоифосфида индия и индиягаллия арсенида,выращенные методом… Андрюшкин В. В.Гладышев А. Г.Бабичев А. В.2021 год

Исследование процесса диффузии цинка в эпитаксиальные слои фосфида индия и индия галлия арсенида,… : статья из журнала

  • Андрюшкин В. В. и др.
  • 2021 год
Формированиегексагональной фазыгермания наповерхностинитевидныхнанокристаллов AlGaAsметодом молекулярно… Илькив И. В.Котляр К. П.Кириленко Д. А.2021 год

Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом… : статья из журнала

  • Илькив И. В. и др.
  • 2021 год
Оптические свойства иразупорядочениеплёнок HgCdTe,выращенных методоммолекулярно-лучевойэпитаксии Ружевич М. С.Мынбаев К. Д.Баженов Н. Л.2024 год

Оптические свойства и разупорядочение плёнок HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой… : статья из журнала

  • Ружевич М. С. и др.
  • 2024 год
Исследованиеструктуры слоев GaAsв гетерокомпозицияхGaAs/Ge/GaAs методамипросвечивающейэлектронноймикроскопии Сазонов В. А.Боргардт Н. И.Приходько А. С.2024 год

Исследование структуры слоев GaAs в гетерокомпозициях GaAs/Ge/GaAs методами просвечивающей… : статья из журнала

  • Сазонов В. А. и др.
  • 2024 год
Фотоэлектрическиесвойства слоев GaN,выращенных методоммолекулярно-лучевойэпитаксии сплазменной активациейна… Кукушкин С. А.Мизеров А. М.Гращенко А. С.2019 год

Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с… : статья из журнала

  • Кукушкин С. А. и др.
  • 2019 год
Влияниекристаллографическойориентации пленокGaSb на ихструктурные свойствапри гетероэпитаксиина вицинальных… Петрушков М. О.Абрамкин Д. С.Емельянов Е. А.2020 год

Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при… : статья из журнала

  • Петрушков М. О. и др.
  • 2020 год
Выращивание методомМОС-гидриднойэпитаксиисубмонослойныхквантовых точекInGaAs/GaAs длявозбужденияповерхностных… Байдусь Н. В.Кукушкин В. А.Некоркин С. М.2019 год

Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для… : статья из журнала

  • Байдусь Н. В. и др.
  • 2019 год