Библиографическое описание:Исследование взаимосвязи механических напряжений, оптической неоднородности и концентрации кислорода в кристаллах германия / А. Ф. Шиманский, Е. Д. Кравцова, Т. В. Кулаковская [и др.]. - (Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2022. - Т. 56, вып. 3. - С. 285-290 : ил. - Библиогр.: с. 290 (18 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Представлены результаты исследования радиального распределения механических напряжений, концентрации кислорода и оптической неоднородности в кристаллах германия диаметром 200 мм, легированных сурьмой, с удельным электрическим сопротивлением от 10. 5 до 18. 5 Ом·см, выращенных по методу Чохральского. Установлено, что остаточные напряжения, рассчитанные по данным рентгеноструктурного анализа, коррелируют с результатами численного моделирования термоупругих напряжений и взаимосвязаны со значениями оптической неоднородности и концентрации растворенного кислорода, присутствующего в германии в атомарно-диспергированном состоянии.
The radial distribution of mechanical stress, optical inhomogeneity and oxygen concentration in Sb-doped germanium crystals grown by the Czochralski method with diameter of 200 mm and resistivity from 10. 5 to 18. 5 Ohms·cm were studied. It was found that residual stress calculated from the data of X-ray structural analysis correlates with results of numerical simulation of thermoplastic stress and interrelates with optical inhomogeneity and concentration of oxygen presented in the atomically dispersed state in germanium.
