Библиографическое описание:Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi[2], выращенных на CaF[2]/Si-подложках / В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин [и др.]. - (XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 9. - С. 725-728 : ил. - Библиогр.: с. 728 (9 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Проведено исследование особенностей роста, а также структурных и оптических свойств слоев CaSi[2], сформированных в процессе последовательного осаждения Si и CaF[2] на подложку Si (111) при одновременном облучении пучком быстрых электронов. Спектры комбинационного рассеяния света, снятые в областях воздействия электронным пучком, продемонстрировали пики, характерные для кристаллических слоев CaSi[2]. Исследование морфологии поверхности сформированных структур показало, что в выбранных условиях синтез слоев CaSi[2] при электронном облучении происходит по двумерно-слоевому механизму. Спектры фотолюминесценции, измеренные в областях, модифицированных электронным пучком, имеют существенные отличия от спектров, снятых вне области электронного облучения.
In this work, we study the growth features, as well as the structural and optical properties of CaSi[2] layers formed in the process of successive deposition of Si and CaF[2] on a Si (111) substrate with simultaneous irradiation with high energy electron beam. The Raman spectra recorded in the regions of the electron beam action showed peaks characteristic of crystalline CaSi[2] layers. The study of the surface morphology of the grown structures demonstrated that, under the chosen synthesis conditions, the formation of CaSi[2] layers during electron irradiation occurs according to a two-dimensional layer mechanism. The photoluminescence spectra measured in the region modified by the electron beam have significant differences from the spectra measured outside this region.
