Библиографическое описание:Effect of the Ultra-Thin GaN Interlayer on the Electrical and Photoelectrical Parameters of Au/aAs Schottky Barrier Diodes / A. H. Kacha, M. N. Amroun, B. Akkal, Z. Benamara. - (Физика полупроводниковых приборов). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 9. - С. 833. - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Целью данной работы было исследование влияния сверхтонкой прослойки GaN на электрические и фотоэлектрические параметры диодов с барьером Шоттки Au/GaAs. Оптимизированный процесс изготовления был использован для создания двух типов диодов Шоттки Au/GaAs и Au/GaN/GaAs с толщиной GaN 2, 2 нм. Электрические параметры были извлечены из вольт-амперных измерений в темноте и при освещении зеленым лазером с длиной волны 532 нм. Метод поверхностной фотоэдс (SPV) был использован для оценки превышения концентрации и средней плотности состояний интерфейса. Параметры, извлеченные из вольт-амперных измерений в темноте, при освещении и с использованием метода SPV, показывают улучшение после процесса азотирования. Создание ультратонкого слоя GaN на границе раздела Au/GaAs снижает плотность интерфейсных состояний, что приводит к улучшению электрического качества за счет реструктуризации границы раздела металл-полупроводник под влиянием образования пограничного слоя GaN. Эта реструктуризация границы раздела металл-полупроводник приводит к улучшению фотоэлектрического отклика этих структур, позволяя создать дополнительный избыток концентрации.
The aim of this work was to investigate the effect of the ultra-thin GaN interlayer on the electrical and photoelectrical parameters of Au/GaAs Schottky barrier diodes. An optimized fabrication process was employed to elaborate two types of Schottky diodes Au/GaAs and Au/GaN/GaAs with a GaN thickness of 2. 2 nm. Electrical parameters were extracted from current-voltage measurements in dark and under illumination with a green laser of 532-nm wavelength. Surface photovoltage (SPV) method was employed to estimate the excess of concentration and the mean interface state density. The extracted parameters from the current-voltage measurements in the dark, under illumination, and using SPV method show an improvement after nitridation process. The creation of the ultra-thin GaN layer at the Au/GaAs interface reduces the density of the interface states leading to the improvement of the electrical quality by restructuring the metal-semiconductor interface under the effect of formation of the GaN interfacial layer. This restructuration of the metal-semiconductor interface results in the improvement of the photoelectrical response of these structures by allowing the creation of an additional excess of concentration.
