Библиографическое описание:Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии / П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов [и др.]. - (Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 8. - С. 704-710 : ил. - Библиогр.: с. 709-710 (34 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Сообщается о росте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии пленки GaN на предварительно обработанных кремниевых подложках Si (001) через буферный слой AlN. Продемонстрировано, что использование предложенной технологии привело к образованию в подложке Si переходного субслоя, дальнейший рост на котором обеспечил формирование столбчатых зерен GaN, между которыми находится тонкая прослойка фазы AlN. Эпитаксиальная пленка GaN имеет низкую величину остаточных напряжений, что нашло свое отражение в интенсивной люминесценции.
The growth of the GAN film on pretreated Si (001) silicon substrates through the AlN buffer layer by the method of chloride-hydride gas-phase epitaxy is reported. It is demonstrated that the use of the proposed technology led to the formation of a transition sublayer in the Si substrate, further growth on which ensured the formation of columnar GAN grains, between which there is a thin layer of the AlN phase. The epitaxial GAN film has a low residual stress value, which is reflected in the intense luminescence.
