Библиографическое описание:Генерация спиновых токов в n-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом / А. А. Ежевский, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков [и др.]. - (XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 8. - С. 654-658 : ил. - Библиогр.: с. 657-658 (18 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Легирование кремния висмутом приводит к дополнительному спиновому рассеянию электрона проводимости на спин-орбитальном потенциале, вносимом тяжелым донором. В работе обсуждаются вопросы, связанные с рассеянием спинов с переворотом и их влияние на процессы генерации спиновых токов в кремнии с электронным типом проводимости. На основе теории спиновой накачки и диффузионной модели рассчитаны величины спиновых токов и напряжения инверсного спинового эффекта Холла при варьировании типа донора и его концентрации и длин спиновой диффузии. Расчеты позволили найти зависимости величин эффектов от параметров слоев кремния, легированных висмутом, и объяснить отсутствие сигналов инверсного спинового эффекта Холла при легировании слоя кремния только фосфором или сурьмой с концентрацией N[d]>10{19}см{-3}.
Doping of silicon with bismuth leads to additional spin scattering of the conduction electron by the spin-orbit potential introduced by a heavy donor. In this paper, we discuss spin flip scattering influence on the generation of spin currents in silicon with electronic conductivity. Based on the theory of spin pumping and the diffusion model, the values of spin currents and voltages of the inverse spin Hall effect (ISHE) are calculated with varying the type of donor and its concentration and the spin diffusion lengths. Calculations made it possible to find the dependences of the magnitudes of the effects on the parameters of silicon layers doped with bismuth, and to explain the absence of ISHE signals when the silicon layer is doped only with phosphorus or antimony with a concentration of N[d]>10{19}см{-3}.
