Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si
Библиографическое описание:Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si / А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин [и др.]. - (Физика полупроводниковых приборов). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 7. - С. 596-601 : ил. - Библиогр.: с. 600-601 (37 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Разработаны планарные плазмонные фотодетекторы Ge/Si с квантовыми точками Ge на подложках кремний-на-изоляторе, сопряженные с регулярными массивами металлических нанодисков на их поверхности. Обнаружено, что введение адгезионных слоев, необходимых для формирования стабильных наноструктур из благородных металлов, ведет к подавлению поверхностного плазмонного резонанса. Выбор алюминиевых нанодисков, не требующих адгезионных слоев, позволяет повысить эффективность фотоприемников в 40 раз на длине волны 1. 2 мкм и в 15 раз при lambda=1. 65 мкм.
We fabricated plasmon-enhanced planar Ge/Si quantum dots photodetectors on Silicon-on-insulator substrate coupled with regular array of metallic nanodisks on photodetector surface. It was demonstrated that insertion of supplementary adhesion layers between silicon substrate and noble metal required for stable structure results in suppression of localized surface plasmons resonance. Selection of the Al nanodisks without adhesion layers allows to increase the photodetectors efficiency by about 40 times at wavelength 1. 2 microns and by 15 times at wavelength 1. 65 microns.
