Библиографическое описание:Current-Voltage, Capacitance-Voltage-Temperature, and DLTS Studies of Ni/6H-SiC Schottky Diode / A. Rabehi, B. Akkal, M. Amrani [et al.]. - (Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 4. - С. 388. - ISSN 0015-3222.
Аннотация:В данной работе дается систематическое описание диода Шоттки Ni/6H-SiC по вольт-амперной характеристике при комнатной температуре и вольт-фарадной характеристике C (В) на различных частотах (10-800 кГц) и различных температурах. (77-350°К). Сигнатуры ловушек, такие как энергия активации E[а]=0, 50±0, 07 эВ, сигма сечения захвата=1, 8·10{-20}см{2} и концентрация дефектов N[T]=6, 2·10{13}см{-3}, были рассчитаны из графиков Аррениуса.
In this paper, we give a systematical description of Ni/6H-SiC Schottky diode by current-voltage I (V) characteristics at room temperature and capacitance-voltage C (V) characteristics at various frequencies (10-800 kHz) and various temperatures (77-350°К). The traps signatures such as activation energies E[a]=0. 50±0. 07 eV, capture cross-section sigma=1. 8·10{-20}cm{2}, and defect concentration N[T]=6. 2·10{13}cm{-3} were calculated from Arrhenius plots.
