Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния
Библиографическое описание:Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния / Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов [и др.]. - (Электронные свойства полупроводников). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 2. - С. 102-111 : ил. - Библиогр.: с. 111 (19 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Выполнен цикл экспериментальных исследований, а именно, проведены измерения и выполнен анализ полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости в образцах тонких пленок монокристаллического SiC, выращенных на поверхностях (100), (110) и (111) монокристаллического Si методом согласованного замещения атомов за счет химической реакции Si с газом CO. В результате исследований в структурах SiC, выращенных на Si (110) и Si (111), обнаружено возникновение в слабых магнитных полях двух квантовых эффектов при комнатной температуре. В структурах SiC, выращенных на Si (100), эти эффекты обнаружены не были, что связывается нами с иным механизмом образования SiC на поверхности (100) Si.
The work carried out represents a cycle of experimental studies, namely, measurements and analysis of static magnetic susceptibility field dependencies in samples of singlecrystal SiC thin films grown on (100), (110) and (111) surfaces of monocrystalline Si by atoms substitution methods caused by chemical reaction of silicon with carbon monoxide gas (CO). The studies of the SiC structures grown on Si (110) and Si (111) are found to reveal two quantum effects occurred in weak magnetic fields at room temperature. In the SiC structures grown on Si (100) surface, these effects were not detected, which is associated with another mechanism of SiC formation on the Si (100) surface.
