Библиографическое описание:Das, Aparna. Recent Developments in Semipolar InGaN Laser Diodes / A. Das. - (Физика полупроводниковых приборов). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 2. - С. 208. - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Полупроводники с нитридом III группы (GaN, AlN и InN) являются привлекательными материалами для широкого спектра электронных и фотонных приложений. Наиболее широко используемой плоскостью роста III-нитридов является полярная плоскость, характеризующаяся наличием в гетероструктурах индуцированного поляризацией внутреннего электрического поля. Чтобы устранить вредные эффекты поляризации, устройства с III-нитридом, выращенные в неполярной и полуполярной ориентации, стали основной областью исследований. Обсуждаются разработки лазерных диодов в трех различных полуполярных плоскостях, таких как плоскости (11-22), (20-21) и (20-2-1), включая блестящие перспективы нитридов III группы.
Group III-nitride semiconductors (GaN, AlN, and InN) are attractive materials for a wide range of electronic and photonic applications. The most widely employed growth plane for III-nitrides is the polar plane, characterized by the presence of a polarization-induced internal electric field in heterostructures. To eliminate the deleterious effects of polarization, III-nitride devices grown on nonpolar and semipolar orientations have become a major area of research. The developments of laser diodes in three different semipolar planes such as (11-22), (20-21), and (20-2-1) planes are discussed including the bright prospects of group III-nitrides.
