Библиографическое описание:Химически осажденные пленки сульфида свинца, легированные кобальтом / Л. Н. Маскаева, Е. В. Мостовщикова, В. Ф. Марков [и др.]. - (Поверхность, границы раздела, тонкие пленки). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 11. - С. 1049-1058 : ил. - Библиогр.: с. 1058 (30 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:В настоящей работе, являющейся продолжением исследований по легированию химически осажденных слоев PbS (I), обсуждается влияние ионов кобальта на их морфологические, структурные, оптические и фотоэлектрические свойства. Элементным энергодисперсионным анализом показано, что кобальт обнаруживается в пленках при концентрации его хлорида в реакционной смеси >0. 04 моль/л. Полученные пленки PbS (I, Co) сохраняют кубическую B1 структуру (пр. гр. Fm3m). Показано, что плотность фототока снижается с увеличением содержания наночастиц в пленках в ряду PbS (Сo) -> PbS->PbS (I, Сo) ->PbS (I).
In this paper, which is a continuation of the research on the doping of chemically deposited PbS (I) layers, the influence of cobalt ions on their morphological, structural, optical and photoelectric properties is discussed. Elemental energy dispersion analysis has shown that cobalt is detected in films at a concentration of its chloride in the reaction mixture >0. 04 mol/l. The resulting PbS (I, Co) films retain a cubic B1 structure (e. g. Fm3m). It is shown that the photocurrent density decreases with an increase in the content of nanoparticles in films in the series PbS (Co) -> PbS->PBS (I, Co) ->PBS (I).
