Библиографическое описание:Булярский, С. В. Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения gamma-квантами на обратные токи кремниевых фотодиодов / С. В. Булярский, А. В. Лакалин, М. А. Сауров. - (Физика полупроводниковых приборов). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 1. - С. 69-74 : ил. - Библиогр.: с. 73-74 (30 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Исследованы вольт-амперные характеристики кремниевых фотодиодов до и после облучения gamma-квантами энергией 1. 25 МэВ и дозой облучения 0. 5 МРад. Установлено, что обратные токи определяются механизмом Пула - Френкеля в сильном электрическом поле с влиянием электрон-фононного взаимодействия. Разработана методика и рассчитаны параметры электрон-фононного взаимодействия, описываемого конфигурационной однокоординатной моделью, из обратных вольт-амперных характеристик. Сделано предположение, что в результате облучения gamma-квантами образуются центры дивакансии кремния с кислородом, которые и определяют обратные токи фотодиодов.
The current-voltage characteristics of silicon photodiodes were studied before and after irradiation with gamma-rays with energy of 1. 25 MeV and an irradiation dose of 0. 5 MRad. It has been established that the reverse current-voltage characteristic is determined by the Poole - Frenkel mechanism in a strong electric field with the influence of electron-phonon interaction. A technique has been developed and the parameters of the electron phonon interaction of a configuration single-coordinate model have been calculated from reverse current-voltage characteristics. It has been suggested that as a result of irradiation with gamma-rays, divacancy centers of silicon with oxygen are formed, which determine the reverse currents of the photodiodes.
