Библиографическое описание:Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда / А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, Н. М. Овечкин [и др.]. - (Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2021. - Т. 55, вып. 1. - С. 49-58 : ил. - Библиогр.: с. 57-58 (30 назв.). - ISSN 0015-3222.
Аннотация:Исследованы нелегированные нанокристаллические алмазные пленки толщиной менее одного мкм, выращенные на кремнии Si (100) методом плазмохимического осаждения из газовой фазы в плазме, поддерживаемой СВЧ излучением на частоте 2. 45 ГГц. Установлена связь между условиями роста, структурными и электрическими свойствами нанокристаллических алмазных пленок. Показано, что для применения нанокристаллических алмазных пленок в качестве эффективных диэлектриков необходим предварительный высокотемпературный отжиг пленок, например, в вакууме при температуре 600°С в течение одного часа.
Undoped nanocrystalline diamond films less than 1 micron thick grown on Si (100) silicon by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition at a frequency of 2. 45 GHz are studied. A relationship has been established between the growth conditions, structural and electrical properties of nanocrystalline diamond films. It is shown that for the use of nanocrystalline diamond films as effective dielectrics preliminary high-temperature annealing of the films is required, for example, in vacuum at a temperature of 600°С for one hour.
