Библиографическое описание:Тхан Пьо Чжо. Исследование влияния легирования буферного слоя GaN углеродом на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT AlGaN/AlN/GaN-транзисторов / Тхан Пьо Чжо. - (Материалы и компоненты изделий электронной техники). - Текст : непосредственный // Наукоемкие технологии. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 16-23. - Библиогр.: с. 21-22 (15 назв.). - ISSN 1999-8465.
Аннотация:Развитие передовых стандартов связи и современных цифровых телекоммуникационных систем требуют постоянного улучшения характеристик СВЧ-устройств с точки зрения выходной мощности, полосы пропускания, эффективности и точности воспроизведения сигнала. Наиболее перспективный материал как для оптических, так и для микроволновых применений высокой мощности сегодня - GaN. Превосходные транспортные свойства электронов материала GaN расширяют область применения GaN-технологии от коммерческих до военных целей. На работу транзистора большое влияние оказывает конструкция буферного слоя. Проводящий канал HEMT GaN выращивают на толстом буферном слое - высокоомном GaN-слое. Исследовать влияние легирования буферного слоя GaN углеродом на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT AlGaN/AlN/GaN-транзисторов. Исследовано влияние буферного слоя GaN, легированного углеродом, на эффект лавинного пробоя нормально открытых HEMT транзисторов. Проведено моделирование лавинного пробоя в структуре, где длина затвора LG=0, 3 мкм, расстояние между истоком и затвором LSG=1, 5 мкм, расстояние между затвором и стоком LGD=2, 2 мкм. Рассмотрен легированный углеродом слой, толщина которого равна 0, 3 мкм, расположенный на расстоянии 20 нм от канала. Моделирование показало, что с увеличением концентрации легирования буфера углеродом напряжение пробоя возрастает в интервале UB=225-360 В. При увеличении толщины слоя до 0, 4 мкм напряжение пробоя возрастает в интервале UB=230-446 В. Для структуры, где длина затвора LG=0, 8 мкм, расстояние между истоком и затвором LSG=1, 0 мкм, расстояние между затвором и стоком LGD=3, 0 мкм, напряжение пробоя возрастает в интервале UB=300-622 В. Практическая значимость. Моделирование лавинного пробоя выявило на возможность повышения напряжения пробоя до 500-600 В при использовании ступенчатого легирования буфера углеродом для HEMT AlGaN/GaN-транзистора. Благодаря отличным физическим свойствам материала GaN вместе с его способностью создавать гетероструктуры GaN-устройства могут работать на более высоких частотах.
The influence of the GaN buffer layer doped with carbon on the avalanche breakdown effect of normally open HEMT AlGaN/AlN/GaN transistors was studied. The avalanche breakdown was simulated in a structure where the gate length is LG=0. 3 mkm, the distance between the source and gate is LSG=1. 5 mkm, and the distance between the gate and drain is LGD=2. 2 mkm. For modeling, consider a layer doped with carbon, the thickness of which is 0. 3 mkm, and the layer is located at a distance of 20 nm from the channel. The Simulation showed that with an increase in the concentration of carbon doping of the buffer, the breakdown voltage increases in the range UB=225-360 (V). When the layer thickness changes to 0. 4 mkm, the breakdown voltage increases in the range UB=230-446 (V). For a structure where the gate length is LG=0. 8 mkm, the distance between the source and the gate is LSG=1. 0 mkm, the distance between the gate and drain is LGD=3. 0 mkm, the breakdown voltage increases in the range UB=300-622 (V).
