1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Влияние облучениявысокоэнергетическимиионами Xe наструктуру ифотолюминесценциюкремния и диоксидакремния снанокластерами InAs Комаров Ф. Ф.Мильчанин О. В.Пархоменко И. Н.2019 год

Влияние облучения высокоэнергетическими ионами Xe на структуру и фотолюминесценцию кремния и диоксида кремния с нанокластерами InAs
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (В 586)
Библиографическое описание: Влияние облучения высокоэнергетическими ионами Xe на структуру и фотолюминесценцию кремния и диоксида кремния с нанокластерами InAs / Ф. Ф. Комаров, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко [и др.]. - (Разное). - Текст : непосредственный // Инженерно-физический журнал. - 2019. - Т. 92, № 2. - С. 527-535 : 6 рис. - Библиогр.: с. 535 (18 назв. ). - ISSN 0021-0285.
Аннотация: Приведены результаты исследований структурных и оптических свойств нанокластеров InAs, сформированных методом ионной имплантации, в матрицах кремния и диоксида кремния. Обнаружено влияние термообработки при температуре 900° C и облучения ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсом 3 · 10{14} см{-2} на структуру и фотолюминесценцию сформированных систем. Установлено, что облучение ионами Xe ослабляет фотолюминесценцию системы "InAs в Si" в ближнем ИК-диапазоне. В случае системы "InAs в SiO[2]" облучение ионами Xe приводит к усилению интенсивности и уширению спектра люминесценции в видимой области спектра (550-750 нм). Обнаружено упорядочение нанокластеров и их вытягивание вдоль траектории ионов Xe в матрице SiO[2].
Год издания: 2019
Авторы: Комаров Ф. Ф. , Мильчанин О. В. , Пархоменко И. Н. , Власукова Л. А. , Нечаев Н. С. , Скуратов В. А. , Ювченко В. Н.
Источник: Инженерно-физический журнал
Выпуск: Т. 92, № 2
Номера страниц: 527-535
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Похожие публикации

Дислокационнаяфотолюминесценция вкремнии,имплантированномионами германия Соболев Н. А.Калядин А. Е.Сахаров В. И.2019 год

Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия : статья из журнала

  • Соболев Н. А. и др.
  • 2019 год
Влияние параметровоблучения ионамиаргона на спектрфотолюминесценциипористого кремния Кожемяко А. В.Евсеев А. П.Спивак Ю. М.2020 год

Влияние параметров облучения ионами аргона на спектр фотолюминесценции пористого кремния : статья из журнала

  • Кожемяко А. В. и др.
  • 2020 год
Влияние энергииимплантации ионов Ar+на фотолюминесценциюпористого кремния Кожемяко А. В.Шемухин А. А.Назаров А. В.2020 год

Влияние энергии имплантации ионов Ar+ на фотолюминесценцию пористого кремния : статья из журнала

  • Кожемяко А. В. и др.
  • 2020 год
Деградация свойствКНСсегнетоэлектрическихпсевдо-МОП-транзисторов после облучениябыстрыми тяжелымиионами Xe и Bi Попов В. П.Антонов В. А.Володин В. А.2023 год

Деградация свойств КНС сегнетоэлектрических псевдо-МОП-транзисторов после облучения быстрыми… : статья из журнала

  • Попов В. П. и др.
  • 2023 год
Фотолюминесценциясапфира, облученногоэлектронами и ионаминизких энергий Зыкова Е. Ю.Озерова К. Е.Татаринцев А. А.2022 год

Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий : статья из журнала

  • Зыкова Е. Ю. и др.
  • 2022 год
Изменение структуры исвойствприповерхностногослоя Si,имплантированного Zn,в зависимости отфлюенса облучения… Привезенцев В. В.Куликаускас В. С.Скуратов В. А.2019 год

Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от… : статья из журнала

  • Привезенцев В. В. и др.
  • 2019 год
Фотолюминесценция ввидимом спектральномдиапазоне пленокSiO[2],имплантированныхионами In{+} и As{+} Тысченко И. Е.Сы Ч.Черкова С. Г.2024 год

Фотолюминесценция в видимом спектральном диапазоне пленок SiO[2], имплантированных ионами In{+} и… : статья из журнала

  • Тысченко И. Е. и др.
  • 2024 год
Преимущественноераспыление приоблучении сплавовгазовыми кластернымиионами Черныш В. С.Иешкин А. Е.Киреев Д. С.2022 год

Преимущественное распыление при облучении сплавов газовыми кластерными ионами : статья из журнала

  • Черныш В. С. и др.
  • 2022 год

Показать ещё

Влияние облученияионами Si{+} нарезистивноепереключениемемристивных структурна основестабилизированного… Окулич Е. В.Коряжкина М. Н.Королев Д. С.2019 год

Влияние облучения ионами Si{+} на резистивное переключение мемристивных структур на основе… : статья из журнала

  • Окулич Е. В. и др.
  • 2019 год
Моделированиепроцессов облученияструктур Cr/4H-SiCвысокоэнергетическимиионами Ar Чумак М. А.Калинина Е. В.Забродский В. В.2025 год

Моделирование процессов облучения структур Cr/4H-SiC высокоэнергетическими ионами Ar : статья из журнала

  • Чумак М. А. и др.
  • 2025 год
МодификацияповерхностиSiO[2](Au)/Si приоблучении ионамиаргона Бундюкова В. Д.Якимчук Д. В.,Канюков Е. Ю.2020 год

Модификация поверхности SiO[2](Au)/Si при облучении ионами аргона : статья из журнала

  • Бундюкова В. Д. и др.
  • 2020 год
Облучениемонокристаллическогокремния мощнымимпульсным пучкомионов углерода ипротонов Симаков С. В.Виноградова Н. А.Никитушкина О. Н.2023 год

Облучение монокристаллического кремния мощным импульсным пучком ионов углерода и протонов : статья из журнала

  • Симаков С. В. и др.
  • 2023 год
Образованиегексагональной фазыкремния 9R-Si приимплантации системыSiO[2]/Si ионамиKr{+} Никольская А. А.Королев Д. С.Михайлов А. Н.2023 год

Образование гексагональной фазы кремния 9R-Si при имплантации системы SiO[2]/Si ионами Kr{+} : статья из журнала

  • Никольская А. А. и др.
  • 2023 год
Структурные,оптические ифотоэлектрическиесвойства кремния,имплантированногоионами индия и сурьмыи подвергнутого… Баталов Р. И.Базаров В. В.Нуждин В. И.2024 год

Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и… : статья из журнала

  • Баталов Р. И. и др.
  • 2024 год
Микроскопияповерхности кремния,имплантированногоионами серебравысокими дозами Воробьев В. В.Рогов А. М.Осин Ю. Н.2019 год

Микроскопия поверхности кремния, имплантированного ионами серебра высокими дозами : статья из журнала

  • Воробьев В. В. и др.
  • 2019 год
Распылениеповерхности кремнияпринизкоэнергетическойвысокодозовойимплантации ионамисеребра Воробьев В. В.Рогов А. М.Нуждин В. И.2020 год

Распыление поверхности кремния при низкоэнергетической высокодозовой имплантации ионами серебра : статья из журнала

  • Воробьев В. В. и др.
  • 2020 год