Влияние режимов обработки конденсаторных структур на основе пористого кремния и сегнетоэлектрика на их диэлектрические потери в ВЧ- и СВЧ-диапазонахстатья из журнала
Похожие публикации
Формирование пористых структур на кремнии с сегнетоэлектриком для элементов микроэлектроники и… : статья из журнала
- Семенова О. В. и др.
- 2017 год
Конденсаторные структуры на основе пористого кремния с внедренными титанатами бария-стронция : научное издание
- Семенова О.В. и др.
- 2019 год
Фотолюминесценция структур на пористом кремнии, полученном электрохимическим травлением с… : статья из журнала
- Семенова О. В. и др.
- 2024 год
Управление фотолюминесценцией гибридных структур на пористом кремнии с оксидом цинка, полученным… : научное издание
- Семенова О. В. и др.
- 2025 год
Фотолюминесценция структур на пористом кремнии, полученном электрохимическим травлением с… : научное издание
- Семенова О. В. и др.
- 2024 год
Фотолюминесценция структур на пористом кремнии с оксидом цинка, полученного с помощью растворной… : научное издание
- Семенова О. В. и др.
- 2025 год
