1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Vacancy-phosphoruscomplexes inelectron-irradiatedfloating-zone n-typesilicon: new pointsin annealing studies Emtsev V. V.Abrosimov N. V.Kozlovski V. V.2020 год

Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone n-type silicon: new points in annealing studies
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (V 11)
Библиографическое описание: Vacancy-phosphorus complexes in electron-irradiated floating-zone n-type silicon: new points in annealing studies / V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski [et al.]. - (Электронные свойства полупроводников). - Текст : непосредственный // Физика и техника полупроводников. - 2020. - Т. 54, вып. 1. - С. 45 : ил. - ISSN 0015-3222.
Аннотация: Annealing processes of vacancy-impurity atom pairs in moderately doped n-type silicon grown by the floating-zone technique and subjected to 0. 9 MeV electron irradiation are investigated by means of Hall effect and conductivity measurements taking over a wide temperature range of 20 to 300 K. Changes in the total concentrations of shallow donors and compensating acceptors in samples prior to and after irradiation as well in the course of isochronal annealing in a temperature interval of 100 to 700°C are determined. It is demonstrated that the Fermi level at annealing stages between 100 and 260°C plays an important part in recovery of the electrical properties of irradiated samples. There is evidence that the first annealing stage between 100 and 160°C is associated with limited migration of vacancy-impurity atom pairs and their trapping by free phosphorus impurity atoms. As a consequence, complexes of vacancy-two impurity atoms appear. They are stable up to 600°C. The complete restoration of the electrical parameters of irradiated samples is observed at 700°C.
Год издания: 2020
Авторы: Emtsev V. V. , Abrosimov N. V. , Kozlovski V. V. , Oganesyan G. A. , Poloskin D. S.
Источник: Физика и техника полупроводников
Выпуск: Т. 54, вып. 1
Номера страниц: 45
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Похожие публикации

Irradiation of Cu(In,Ga)Se[2] Thin Filmsby 10 MeV Electronsat 77 K: Effect onPhotoluminescenceSpectra Sulimov M. A.Sarychev M. N.Mogilnikov I. A.2022 год

Irradiation of Cu(In, Ga)Se[2] Thin Films by 10 MeV Electrons at 77 K: Effect on… : статья из журнала

  • Sulimov M. A. и др.
  • 2022 год
Opticalcharacterization ofnative defects in4h-sic irradiated by10 mev electrons withsubsequent annealing Zhang Y.Wang K.Wang H.2020 год

Optical characterization of native defects in 4h-sic irradiated by 10 mev electrons with… : статья из журнала

  • Zhang Y. и др.
  • 2020 год
Особенностиэлектрофизическихпараметров кремния,легированногопоследовательнопримесными атомамифосфора и бора Зикриллаев Х. Ф.Аюпов К. С.Мавлонов Г. Х.2022 год

Особенности электрофизических параметров кремния, легированного последовательно примесными… : статья из журнала

  • Зикриллаев Х. Ф. и др.
  • 2022 год
Towards the Modelingof Impurity-RelatedDefects in Irradiatedn-Type Germanium: aChallenge to Theory Emtsev V. V.Oganesyan G. A.2020 год

Towards the Modeling of Impurity-Related Defects in Irradiated n-Type Germanium: a Challenge to… : статья из журнала

  • Emtsev V. V. и др.
  • 2020 год
Отжиг высоковольтных4H-SiC диодов Шоттки,облученныхэлектронами привысокой температуре Лебедев А. А.Козловский В. В.Левинштейн М. Е.2022 год

Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре : статья из журнала

  • Лебедев А. А. и др.
  • 2022 год
Влияниеэлектрон-фононноговзаимодействия иоблученияgamma-квантами наобратные токикремниевых фотодиодов Булярский С. В.Лакалин А. В.Сауров М. А.2021 год

Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения gamma-квантами на обратные токи кремниевых… : статья из журнала

  • Булярский С. В. и др.
  • 2021 год
Получение пористогокремния путемспекания нанопорошка Астрова Е. В.Воронков В. Б.Нащекин А. В.2019 год

Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка : статья из журнала

  • Астрова Е. В. и др.
  • 2019 год
Simulated contrast oftwo dislocations Ledra M.El Hdiy A.2019 год

Simulated contrast of two dislocations : статья из журнала

  • Ledra M. и др.
  • 2019 год

Показать ещё

Дислокационнаяфотолюминесценция вкремнии,имплантированномионами германия Соболев Н. А.Калядин А. Е.Сахаров В. И.2019 год

Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия : статья из журнала

  • Соболев Н. А. и др.
  • 2019 год
Анодное окислениеслоевкремний-на-изоляторе,созданных методомводородного переноса Тысченко И. Е.Попов И. В.Спесивцев Е. В.2019 год

Анодное окисление слоев кремний-на-изоляторе, созданных методом водородного переноса : статья из журнала

  • Тысченко И. Е. и др.
  • 2019 год
Влияние радиационныхдефектов, созданныхнизкоэнергетическимипротонами притемпературе 83 K, нахарактеристики… Богатов Н. М.Григорьян Л. Р.Коваленко А. И.2020 год

Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре 83 K, на… : статья из журнала

  • Богатов Н. М. и др.
  • 2020 год
Изменение структуры исвойствприповерхностногослоя Si,имплантированного Zn,в зависимости отфлюенса облучения… Привезенцев В. В.Куликаускас В. С.Скуратов В. А.2019 год

Изменение структуры и свойств приповерхностного слоя Si, имплантированного Zn, в зависимости от… : статья из журнала

  • Привезенцев В. В. и др.
  • 2019 год
Структурные иоптическиехарактеристикиультрафиолетовых4H-SiC-детекторов,облученных ионамиаргона Калинина Е. В.Кудояров М. Ф.Никитина И. П.2020 год

Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4H-SiC-детекторов, облученных ионами аргона : статья из журнала

  • Калинина Е. В. и др.
  • 2020 год
Особенности механизмаэлектропроводности вgamma-облученныхмонокристаллахTlInSe[2] подгидростатическимдавлением Мадатов Р. С.Гасымов Ш. Г.Бабаев С. С.2020 год

Особенности механизма электропроводности в gamma-облученных монокристаллах TlInSe[2] под… : статья из журнала

  • Мадатов Р. С. и др.
  • 2020 год
Кристаллизация плeнокаморфного германия имногослойных структурa-Ge/a-Si поддействиемнаносекундноголазерного… Володин В. А.Кривякин Г. К.Ивлев Г. Д.2019 год

Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур a-Ge/a-Si под действием… : статья из журнала

  • Володин В. А. и др.
  • 2019 год
Фемтосекундныйлазерный отжигмногослойныхтонкопленочныхструктур на основеаморфных германия икремния Колчин А. В.Шулейко Д. В.Павликов А. В.2020 год

Фемтосекундный лазерный отжиг многослойных тонкопленочных структур на основе аморфных германия и… : статья из журнала

  • Колчин А. В. и др.
  • 2020 год