1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Особенностиформированиядислокационнойструктуры вмонокристаллахарсенида галлия,полученных методомЧохральского Парфентьева И. Б.Пугачев Б. В.Павлов В. Ф.2017 год

Особенности формирования дислокационной структуры в монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (О-754)
Библиографическое описание: Особенности формирования дислокационной структуры в монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского / Парфентьева И. Б., Пугачев Б. В., Павлов В. Ф. [и др.]. - Текст : непосредственный // Кристаллография. - 2017. - Т. 62, № 2. - С. 259-263. - ISSN 0023-4761.
Аннотация: Обнаружено влияние отклонения ориентации затравки от направления [100] на формирование дислокационной структуры монокристаллов арсенида галлия, полученных методом Чохральского.
Год издания: 2017
Авторы: Парфентьева И. Б. , Пугачев Б. В. , Павлов В. Ф. , Козлова Ю. П. , Князев С. Н. , Югова Т. Г.
Источник: Кристаллография
Выпуск: Т. 62, № 2
Номера страниц: 259-263
Количество экземпляров:
Твёрдая копия издания отсутствует в фонде библиотеки

Похожие публикации

Структурныеособенности,связанные сдвойникованием впроцессе ростамонокристалловарсенида галлияметодом Чохральского Югов А. А.Пугачев Б. В.Югова Т. Г.2020 год

Структурные особенности, связанные с двойникованием в процессе роста монокристаллов арсенида… : статья из журнала

  • Югов А. А. и др.
  • 2020 год
Поликристалличность вкристаллах арсенидагаллия, выращенныхметодом Чохральского Павлова О. С.Югова Т. Г.Князев С. Н.2021 год

Поликристалличность в кристаллах арсенида галлия, выращенных методом Чохральского : статья из журнала

  • Павлова О. С. и др.
  • 2021 год
Особенностиформированиянаночастиц галлия,индия, висмута исурьмы Кожемякин Г. Н.Брыль О. Е.Панич Е. А.2019 год

Особенности формирования наночастиц галлия, индия, висмута и сурьмы : статья из журнала

  • Кожемякин Г. Н. и др.
  • 2019 год
Выращивание объемныхкристаллов оксидагаллия из расплаваметодом Чохральскогов кислородсодержащейатмосфере Закгейм Д. А.Панов Д. Ю.Спиридонов В. А.2020 год

Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в… : статья из журнала

  • Закгейм Д. А. и др.
  • 2020 год
Формированиеквазидвумерных слоевнаночастиц висмута вэпитаксиальныхпленках арсенидагаллия Поленок Е. Д.Берт Н. А.Иванов А. А.2024 год

Формирование квазидвумерных слоев наночастиц висмута в эпитаксиальных пленках арсенида галлия : статья из журнала

  • Поленок Е. Д. и др.
  • 2024 год
Дефектная структуралегированных оловоммонокристаллов InAs,выращенных методомЧохральского Санжаровский Н. А.Парфентьева И. Б.Югова Т. Г.2024 год

Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского : статья из журнала

  • Санжаровский Н. А. и др.
  • 2024 год
Исследованиемонокристалловантимонида индия,полученныхмодернизированнымметодом Чохральскогов различных… Комаровский Никита ЮрьевичМолодцова Елена ВладимировнаБелов Александр Георгиевич2023 год

Исследование монокристаллов антимонида индия, полученных модернизированным методом Чохральского в… : статья из журнала

  • Комаровский Никита Юрьевич и др.
  • 2023 год
Аддитивное ионноелегирование арсенидагаллия методомформированиянанокластеров Перинская И. В.Перинский В. В.Родионов И. В.2022 год

Аддитивное ионное легирование арсенида галлия методом формирования нанокластеров : статья из журнала

  • Перинская И. В. и др.
  • 2022 год

Показать ещё

Ионно-лучевоеосаждениенанокристаллов инанопленок InGaAs наподложках арсенидагаллия Лунина М. Л.Лунин Л. С.Сысоев И. А.2019 год

Ионно-лучевое осаждение нанокристаллов и нанопленок InGaAs на подложках арсенида галлия : статья из журнала

  • Лунина М. Л. и др.
  • 2019 год
Формированиенанокристаллов галлияна подложках сапфира Кожемякин Г. Н.Белов Ю. С.Артемов В. В.2025 год

Формирование нанокристаллов галлия на подложках сапфира : статья из журнала

  • Кожемякин Г. Н. и др.
  • 2025 год
Влияние параметровиндуктивно-связаннойплазмыхлорпентафторэтана наскорость ихарактеристикитравления арсенидагаллия Охапкин А. И.Краев С. А.Архипова Е. А.2022 год

Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики… : статья из журнала

  • Охапкин А. И. и др.
  • 2022 год
Влияние добавкихлорпентафторэтана всоставехлорсодержащей плазмына скорость ихарактеристикипрофиля травления… Охапкин А. И.Краев С. А.Архипова Е. А.2021 год

Влияние добавки хлорпентафторэтана в составе хлорсодержащей плазмы на скорость и характеристики… : статья из журнала

  • Охапкин А. И. и др.
  • 2021 год
Исследованиеструктуры композитныхматериалов на основеPbSb[2]Te[4],полученных методомЧохральского Немов С. А.Андреева В. Д.Поволоцкий А. В.2024 год

Исследование структуры композитных материалов на основе PbSb[2]Te[4], полученных методом… : статья из журнала

  • Немов С. А. и др.
  • 2024 год
Исследование процессадиффузии цинка вэпитаксиальные слоифосфида индия и индиягаллия арсенида,выращенные методом… Андрюшкин В. В.Гладышев А. Г.Бабичев А. В.2021 год

Исследование процесса диффузии цинка в эпитаксиальные слои фосфида индия и индия галлия арсенида,… : статья из журнала

  • Андрюшкин В. В. и др.
  • 2021 год
Структура доменных иантифазных границ вk-фазе оксида галлия Вывенко О. Ф.Бондаренко А. С.Убыйвовк Е. В.2024 год

Структура доменных и антифазных границ в k-фазе оксида галлия : статья из журнала

  • Вывенко О. Ф. и др.
  • 2024 год
Исследованиеоптическииндуцированногоформированиямагнонных зон вструктуре ЖИГ |периодический арсенидгаллия Бубликов К. В.Шешукова С. Е.Бегинин Е. Н.2023 год

Исследование оптически индуцированного формирования магнонных зон в структуре ЖИГ | периодический… : статья из журнала

  • Бубликов К. В. и др.
  • 2023 год