1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск

Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография

Полный текст
Доступ к полному тексту через электронную библиотечную систему «Лань».
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Ковалев, А. Н. Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур : монография / А. Н. Ковалев. - Москва : МИСИС, 2011. - 364 с. - ISBN 978-5-87623-489-6. Книга из коллекции МИСИС - Инженерно-технические науки
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро- и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов
Год издания: 2011
Авторы: Ковалев А. Н.
Издательство: МИСИС, Москва
Количество страниц: 364
Количество экземпляров:
Издание имеется только в электронном виде

Цифровые и тематические книжные коллекции издания

Похожие публикации

Теория и расчет полупроводниковых приборов: Твердотельная электроника

  • Кольцов Г. И. и др.
  • 2010 год

Электрические методы исследования разрывов энергетических зон в полупроводниковых микро- и…

  • Литвинов В. Г. и др.
  • 2013 год

Расчет тепловых режимов полупроводниковых преобразовательных устройств

  • Медведев В. А.
  • 2017 год

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

  • Таперо К. И.
  • 2011 год

Основы технологии электронной компонентной базы

  • Рабинович О. И.
  • 2015 год

Электрические методы исследования разрывов энергетических зон в полупроводниковых микро- и нано-…

  • Литвинов В. Г. и др.
  • 2009 год

Современные диагностические методы контроля качества и надежности полупроводниковых изделий

  • Горлов М. И. и др.
  • 2020 год

Основы технологии электронной компонентной базы: моделирование технологических процессов…

  • Рабинович О. И. и др.
  • 2012 год

Показать ещё