Открытый каталог публикаций OpenAlex 38 документов

• Control of InAs Nanowire Growth Directions on Si
  авторы: Katsuhiro Tomioka; Junichi Motohisa; Shinjiro Hara и др. год: 2008 источник: Nano Letters тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Suppression of current collapse in insulated gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors using ultrathin Al2O3 dielectric
  авторы: Tamotsu Hashizume; Shinya Ootomo; Hideki Hasegawa год: 2003 источник: Applied Physics Letters тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Discrete surface state related to nitrogen-vacancy defect on plasma-treated GaN surfaces
  авторы: Tamotsu Hashizume; Ryusuke Nakasaki год: 2002 источник: Applied Physics Letters тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Room temperature nonlinear operation of a graphene-based three-branch nanojunction device with chemical doping
  авторы: Shaharin Fadzli Abd Rahman; Seiya Kasai; Abdul Manaf Hashim год: 2012 источник: Applied Physics Letters тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Sub 60 mV/decade Switch Using an InAs Nanowire–Si Heterojunction and Turn-on Voltage Shift with a Pulsed Doping Technique
  авторы: Katsuhiro Tomioka; Masatoshi Yoshimura; Takashi Fukui год: 2013 источник: Nano Letters тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Selective-Area Growth of InAs Nanowires on Ge and Vertical Transistor Application
  авторы: Katsuhiro Tomioka; Fumiya Izhizaka; Takashi Fukui год: 2015 источник: Nano Letters тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Electrical hysteresis in p-GaN metal–oxide–semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al₂O₃ as gate dielectric
  авторы: Kexiong Zhang; Meiyong Liao; Masataka Imura и др. год: 2016 источник: Applied Physics Express тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Study on capacitance–voltage characteristics of diamond field-effect transistors with NO₂ hole doping and Al₂O₃ gate insulator layer
  авторы: Makoto Kasu; Kazuyuki Hirama; Kazuya Harada и др. год: 2016 источник: Japanese Journal of Applied Physics тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Fabrication and characterization of a GaAs-based three-terminal nanowire junction device controlled by double Schottky wrap gates
  авторы: Tatsuya Nakamura; Seiya Kasai; Yuta Shiratori и др. год: 2007 источник: Applied Physics Letters тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Improved hysteresis in a normally-off AlGaN/GaN MOS heterojunction field-effect transistor with a recessed gate structure formed by selective regrowth
  авторы: Satoshi Nakazawa; Nanako Shiozaki; Noboru Negoro и др. год: 2017 источник: Japanese Journal of Applied Physics тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition
  авторы: Maciej Matys; R. Stoklas; M. Blaho и др. год: 2017 источник: Applied Physics Letters тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Improvement of the Al2O3/NO2/H-diamond MOS FET by using Au gate metal and its analysis
  авторы: Niloy Chandra Saha; Makoto Kasu год: 2018 источник: Diamond and Related Materials тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Novel Hybrid Voltage Controlled Ring Oscillators Using Single Electron and MOS Transistors
  авторы: Wan-Cheng Zhang; Nanjian Wu; Tamotsu Hashizume и др. год: 2007 источник: IEEE Transactions on Nanotechnology тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Natural oxides on air-exposed and chemically treated InGaP surfaces grown by metalorganic vapor phase epitaxy
  авторы: Tamotsu Hashizume; Toshiya Saitoh год: 2001 источник: Applied Physics Letters тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Nitridation of GaP(001) surface by electron cyclotron resonance assisted N2 plasma
  автор: Tamotsu Hashizume год: 1999 источник: Applied Physics Letters тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее