Открытый каталог публикаций OpenAlex 41 документ

• IGBT Junction Temperature Measurement via Peak Gate Current
  авторы: Nick Baker; Stig Munk‐Nielsen; Francesco Iannuzzo и др. год: 2015 источник: IEEE Transactions on Power Electronics тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• Instabilities in Silicon Power Devices: A Review of Failure Mechanisms in Modern Power Devices
  авторы: Francesco Iannuzzo; C. Abbate; G. Busatto год: 2014 источник: IEEE Industrial Electronics Magazine тип: review
  Страница публикацииПодробнее
• High-Voltage, High-Performance Switch Using Series-Connected IGBTs
  авторы: C. Abbate; G. Busatto; Francesco Iannuzzo год: 2010 источник: IEEE Transactions on Power Electronics тип: статья из журнала
  Страница публикацииПодробнее
• A 3-D-Lumped Thermal Network Model for Long-Term Load Profiles Analysis in High-Power IGBT Modules
  авторы: Amir Sajjad Bahman; Ke Ma; Pramod Ghimire и др. год: 2016 источник: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Online Junction Temperature and Current Simultaneous Extraction for SiC MOSFETs With Electroluminescence Effect
  авторы: Haoze Luo; Junjie Mao; Chengmin Li и др. год: 2021 источник: IEEE Transactions on Power Electronics тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Study of Current Density Influence on Bond Wire Degradation Rate in SiC MOSFET Modules
  авторы: Haoze Luo; Francesco Iannuzzo; Nick Baker и др. год: 2019 источник: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Enabling Junction Temperature Estimation via Collector-Side Thermo-Sensitive Electrical Parameters Through Emitter Stray Inductance in High-Power IGBT Modules
  авторы: Haoze Luo; Wuhua Li; Francesco Iannuzzo и др. год: 2017 источник: IEEE Transactions on Industrial Electronics тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Separation and Validation of Bond-Wire and Solder Layer Failure Modes in IGBT Modules
  авторы: Wenzhao Liu; Dao Zhou; Francesco Iannuzzo и др. год: 2022 источник: IEEE Transactions on Industry Applications тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Impact of Repetitive Short-Circuit Tests on the Normal Operation of SiC MOSFETs Considering Case Temperature Influence
  авторы: He Du; Paula Diaz Reigosa; Lorenzo Ceccarelli и др. год: 2019 источник: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Impact of Solder Degradation on V _CE of IGBT Module: Experiments and Modeling
  авторы: Yingjie Jia; Yongle Huang; Fei Xiao и др. год: 2019 источник: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• DaRTree
  авторы: Long Luo; Klaus-Tycho Foerster; Stefan Schmid и др. год: 2019 тип: статья
  Страница публикацииПодробнее
• Lifetime Analysis of Metallized Polypropylene Capacitors in Modular Multilevel Converter Based on Finite Element Method
  авторы: Ran Yao; Hui Li; Wei Lai и др. год: 2020 источник: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Reliability-Driven Assessment of GaN HEMTs and Si IGBTs in 3L-ANPC PV Inverters
  авторы: Emre Gurpinar; Yongheng Yang; Francesco Iannuzzo и др. год: 2016 источник: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics тип: статья из журнала
  Полный текстПодробнее
• Measuring Temperature Swing with Optical Fibers during Power Cycling of Power Components
  авторы: Kaichen Zhang; Francesco Iannuzzo год: 2022 источник: 2022 IEEE 13th International Symposium on Power Electronics for Distributed Generation Systems (PEDG) тип: статья (материалы конференций)
  Полный текстПодробнее
• 600 V normally-off p-gate GaN HEMT based 3-level inverter
  авторы: Emre Gurpinar; Alberto Castellazzi год: 2017 тип: статья
  Страница публикацииПодробнее